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当前军事与航天领域是氮化镓技术最大的市场。最早就是在美国国防部的推动下,开始了氮化镓技术的研究,慢慢地就行成了现在GaN器件的市场。据统计,军事和航天领...
SOI独特的“Si/绝缘层/Si”三层结构,带来了诸多优势:首先,“绝缘埋层”实现了器件功能有源部分和衬底的全介质隔离,减小了寄生电容,开关频率得以提高。
不同种类的 GaN 可能具有不同的栅极驱动要求,这可能是使用 GaN 组件进行设计时面临的最大挑战之一。
氮化镓(GaN)器件以最小的尺寸提供了最佳的性能,提高了效率,并降低了48 V电源转换应用的系统成本。迅速增长的采纳的eGaN的®在大批量这些应用FET...
随着氮化镓器件性能的提高,人们对这些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后,氮化镓器件被用于广阔的全新应用。
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