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GaN可靠性测试新突破：广电计量推出高压性能评估方案

氮化镓（GaN），作为一种具有独特物理和化学性质的半导体材料，凭借卓越的功率转换效率、超快的开关速度以及出色的耐高温性能，在5G通信、新能源汽车、数据中...

2024-11-28 标签：SiC GaN 可靠性测试 115 0

氮化镓简介及其应用场景

氮化镓（Gallium Nitride，简称GaN）作为最新一代的半导体材料，近年来在电力电子应用领域引发了广泛关注。其卓越的性能和独特的优势，使其成为...

2024-11-27 标签：电动汽车半导体氮化镓 188 0

#参考设计#用于工业应用的60W双输出反激式电源（使用InnoMux2-EP（1700V PowiGaN））

60 W反激式转换器，具有两个独立调节的CV输出，使用基于1700 V PowiGaN的InnoMux2-EP（IMX2353F-H415），用于具有高...

2024-11-19 标签：反激式电源 GaN 工业电源 850 0

安森美GaN功率器件的功能和优点

GaN功率器件的应用在消费类产品电源近年相当普及，大大提升了电源的效率和功率密度，其优点和用量递增，也逐渐延伸到服务器和工业电源领域。安森美（onse...

2024-11-15 标签：安森美功率器件 GaN 147 0

纳芯微提供全场景GaN驱动IC解决方案

作为当下热门的第三代半导体技术，GaN在数据中心、光伏、储能、电动汽车等市场都有着广阔的应用场景。和传统的Si器件相比，GaN具有更高的开关频率与更小的...

2024-11-14 标签：驱动驱动IC GaN 231 0

芯干线100W氮化镓电源适配器拆解

芯干线科技新近研发的一款 100W 电源适配器，深受功放市场青睐，认可度极高。

2024-11-08 标签：电源电源适配器氮化镓 331 0

PD快充芯片U8722BAS可减少非必要能效损耗

YLBPD快充芯片U8722BAS可减少非必要能效损耗GaN技术的零反向恢复特性(因为不存在体二极管)导致二极管反向偏置电流没有稳定时间，从而降低了死区...

2024-11-01 标签：二极管 GaN 快充芯片 144 0

氮化镓快充芯片U8765的主要特性

相信大家都清楚，轻载或空载状态下，开关损耗在转换效率中占主导地位。所以为了降低待机功耗，大部分电源芯片都采取载轻降频的控制方式。而芯片的控制方式可以说是...

2024-10-30 标签：氮化镓 GaN 快充芯片 183 0

远山半导体氮化镓功率器件的耐高压测试

氮化镓（GaN），作为一种具有独特物理和化学性质的半导体材料，近年来在电子领域大放异彩，其制成的氮化镓功率芯片在功率转换效率、开关速度及耐高温等方面优势...

2024-10-29 标签：半导体功率器件氮化镓 265 0

BiGaN开关在广泛电源管理中的应用

保护USB端口、为来自不同源的设备切换电路、以及高侧负载开关免受浪涌影响，都依赖于双向电压阻断和电流导通。到目前为止，设计人员只能使用两个N型MOSFE...

2024-10-24 标签：MOSFET 电源管理 GaN 211 0

GaN和SiC功率器件的特性和应用

如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高...

2024-10-18 标签：半导体 SiC 氮化镓 496 0

WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战

碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的栅极驱动器电源必须满足这些宽带隙半导体的独特偏置要求。本文将讨论在 SiC 和 GaN 应用中设计栅极驱...

2024-09-27 标签：驱动器 SiC GaN 751 0

CoolGaN和增强型GaN区别是什么

CoolGaN和增强型GaN（通常指的是增强型高电子迁移率晶体管，即e-mode HEMT）在概念上有所重叠，但具体来说，它们之间的区别主要体现在以下几...

2024-09-07 标签：晶体管功率器件 GaN 456 0

基于AC驱动的电容结构GaN LED模型开发和应用

随着芯片尺寸减小，微小尺寸GaN 基 Micro LED 显示面临着显示与驱动高密度集成的难题，传统直流(DC)驱动技术会导致结温上升，降低器件寿命。

2024-09-07 标签：半导体电容 GaN 284 0

650V氮化镓芯片U8722AH的工作原理

针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成本的增加。氮化镓芯片U8722AH集成了...

2024-09-06 标签：芯片氮化镓 GaN 502 0

GaN和SiC在工业电子领域的优势

提高工业能源效率是制造业关键趋势，聚焦于优化电力电子设备。MOSFET作为主流电子元件，虽控制高效但寿命短、对过载敏感。新材料如氮化镓与碳化硅的出现，通...

2024-08-30 标签：MOSFET SiC GaN 327 0

芯朋微电子新一代20-65W GaN快充方案

本期，芯朋微技术团队为各位粉丝分享新一代20-65W GaN快充方案，该方案集当前行业最新控制技术、器件技术、功率封装技术之大成，进一步优化快充方案的待...

2024-08-28 标签：变压器 GaN 芯朋微 1284 0

GaN FET(场效应晶体管)中集成电流传感的优势

本文重点介绍了一项新发展：将电流传感(CS)直接集成到采用PDFN封装的氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)中，且无需外部供电。我们将深入探讨这一解决...

2024-08-23 标签：传感器场效应晶体管 GaN 253 0

#参考设计#（900 V PowiGaN 开关）的 60 W 隔离反激式适配器

使用 InnoSwitch3-EP（900 V PowiGaN 开关）的 60 W 隔离反激式适配器 *附件：DER-982 60W 12V5A 90-...

2024-08-22 标签：GaN POWI 隔离反激式适配器 7674 0

简述开关电源芯片U8608的工作原理

开关电源芯片U8608集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电...

2024-08-21 标签：FET GaN 开关电源芯片 856 0

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蓝牙5是蓝牙技术联盟于2016年6月16日发布的新一代蓝牙标准。蓝牙5比原来拥有更快的传输速度，更远的传输距离。蓝牙5.0的开发人员称，新版本的蓝牙传输速度上限为24Mbps，是之前4.2LE版本的两倍。蓝牙5.0的另外一个重要改进是，它的有效距离是上一版本的4倍，理论上，蓝牙发射和接收设备之间的有效工作距离可达300米。
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5G网络作为最新一代的移动互联网通讯技术，相对4G而言，网速更快；5G手机是指使用第五代通信系统的智能手机。相对4G手机，5G手机有更快的传输速度，低时延，通过网络切片技术，拥有更精准的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后蓝牙耳机市场得到迅猛发展，蓝牙耳机种类也层出不穷，TWS蓝牙耳机两耳挂不需要有线连接，一经面世TWS无线蓝牙耳机开始大行其道。
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智慧家庭是智慧城市的最小单元，是以家庭为载体，以家庭成员之间的亲情为纽带，结合物联网、云计算、移动互联网和大数据等新一代信息技术，实现低碳、健康、智能、舒适、安全和充满关爱的家庭生活方式。
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