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GaN中 (C_N) 缺陷的非辐射俘获系数计算（上）

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半导体缺陷和杂质性质的第一性原理计算模拟...

2023-05-25 标签：GaNDASPHSE 1153 1

利用GaN的带宽和功率密度优势对抗RCIED

氮化镓（GaN）是用于在干扰器中构建RF功率放大器（PA）的主要技术。GaN 具有独特的电气特性 – 3.4 eV 的带隙使 GaN 的击穿场比其他射频...

2023-05-24 标签：功率放大器RFGaN 1438 0

更智能、更简单的射频电源解决方案

Wolfspeed 的 GaN on SiC 解决方案正在彻底改变射频功率放大器的前驱动器、驱动器和输出级。具体而言，新的高电子迁移率晶体管（HEMT）...

2023-05-24 标签：驱动器功率放大器发射器 921 0

GaN HEMT大信号模型

GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8...

2023-05-24 标签：功率放大器GaNHEMT 2176 0

用于脉冲雷达应用的氮化镓HEMT

这些优势是目前取代雷达常用的高功率、大带宽行波管（TWT）放大器的趋势背后的原因。GaN HEMT消除了由于阴极耗尽而导致的TWT放大器固有的使用寿命相...

2023-05-24 标签：放大器雷达GaN 1619 0

集成的专业知识为X波段PA提供最佳的氮化镓解决方案

氮化镓是在高频应用中实现高效运行的无可争议的技术，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的应用。SiC器件上的GaN可以为这些应用提供急需的高温可靠性和...

2023-05-20 标签：SiC氮化镓GaN 645 0

SiC范围内的GaN和热感知简化了X波段雷达设计

性能参数因应用而异，雷达系统可能需要在从L波段以下到Ka波段以上的任何频率下工作。8.5 至 11 GHz X 频段正迅速成为主导频率范围，可用于海上导...

2023-05-20 标签：半导体RFGaN 1265 0

提升RF功率放大器的脉冲保真度

考虑到功率对雷达探测距离的重要性，工程师可能会完全专注于在尺寸限制内尽可能多地提升功率 — 通过使用 Wolfspeed 最新的 GaN 技术获取最高的...

2023-05-20 标签：功率放大器RFGaN 932 0

SiC助力轨道交通驶向“碳达峰”

本文我们将重点介绍第三代半导体中的碳化硅（SiC），与下文氮化镓（GaN）的形式统一如何助力轨道交通完成“碳达峰”目标，并为大家推荐贸泽电子在售的领先的...

2023-05-19 标签：半导体SiCGaN 866 0

如何提高系统功率密度

在功率器件领域，除了围绕传统硅器件本身做文章外，材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如，在谈论功率密度时，GaN（氮化镓）凭借零反向复原、低输出电荷...

2023-05-18 标签：功率器件SiCGaN 1178 0

第三代半导体器件的机会在哪里

与第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小和抗辐射能力强等特...

2023-05-18 标签：半导体SiCGaN 755 0

氮化镓GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点

NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前...

2023-05-17 标签：栅极驱动电路氮化镓 1057 0