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半导体制造装置之SiC涂层石墨基座介绍

SiC涂层的制备方法主要有凝胶-溶胶法、包埋法、刷涂法、等离子喷涂法、化学气相反应法(CVR)和化学气相沉积法(CVD)。

2023-05-11 标签：SiCGaN碳化硅 4178 0

应用笔记——GaN偏置电路设计准则

本文内容翻译自一篇Qorvo的应用笔记，虽然标题是针对GaN偏置电路设计的一些基本准则，但实际上对GaAs也是适用的。基于化合物半导体做射频功放的同学应...

2023-05-10 标签：电路设计晶体管偏置电路 4950 0

如何通过PyTorch实现卷积GAN构建？

人们曾经认为生成的任务是不可能的，并且被 GAN 的力量所震惊，因为传统上，根本没有任何事实可以比较我们生成的图像。

2023-05-09 标签：GaN计算机视觉pytorch 612 0

65W高性能磁耦通讯GaN快充方案

随着GaN功率器件的可靠性提升及成本逐渐接近常规MOS，相关中大功率快充方案备受市场青睐。为了满足市场新需求，晶丰明源通过不断创新，推出了集成GaN磁耦...

2023-05-08 标签：驱动器充电器寄存器 1236 0

什么是宽禁带半导体？

半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代...

2023-05-05 标签：SiC氮化镓GaN 1.0万 0

还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件

面对社会和监管要求，电源效率一直是电子系统的优先事项。特别是对于从电动汽车 (EV) 到高压通信和工业基础设施的应用，电源转换效率和功率密度是设计成功的关键。

2023-04-28 标签：晶体管FET氮化镓 690 0

绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术

GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅...

2023-04-29 标签：功率器件GaN开关器件 1453 0

绝缘栅Si基GaN平面器件关键工艺

传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系，其中X金属可为Ni，Mo，PT，Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高...

2023-04-29 标签：功率器件GaN金属 1590 0

氮化镓（GaN）的晶体结构与性质

到目前为止我们已知的GaN有三种晶体结构，它们分别为纤锌矿（Wurtzite）、闪锌矿（Zincblende）和岩盐矿（Rocksalt）。通常的情况下...

2023-04-29 标签：纳米材料氮化镓GaN 2.4万 0

Flyback反激变换器的三种工作模式和参数设计

过去几年，由于USB Type-C PD充电协议的广泛使用，加之GaN技术的普及，使得基于GaN的PD适配器具有更广泛的兼容性和更便携的形态，小功率电源...

2023-05-01 标签：二极管MOSFETGaN 3.6万 1

什么是GaN氮化镓？Si、GaN、SiC应用对比

由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主...

2023-04-25 标签：SiC氮化镓GaN 4198 0

GaN闪耀，但它并不是天空中唯一的星星

那么，这是否意味着GaN将在每种应用中取代GaAs？答案是否定的，这就是为什么Microchip生产分立式以及GaN和GaAs MMIC产品，并拥有业内...

2023-04-23 标签：放大器mcuGaN 519 0

如何设置、设计及正确地驱动GaN功率级

您可以通过多种方式控制GaN功率级。LMG5200 GaN 半桥功率级的 TI 用户指南使用无源元件和分立逻辑门的组合。在这篇文章中，我将描述如何使用H...

2023-04-14 标签：微控制器GaN 1512 0

用一个Hercules LaunchPad开发套件控制GaN功率级

与LMG5200评估模块 (EVM) 一同提供的还有一块驱动GaN集成电路 (IC) 的电路。你需要将其断开，并且连接你的LaunchPad开发套件。

2023-04-14 标签：微控制器集成电路GaN 646 0

用集成驱动器优化氮化镓性能

氮化镓 (GaN) 晶体管的开关性能要优于硅MOSFET，因为在同等导通电阻的情况下，氮化镓 (GaN) 晶体管的终端电容较低，并避免了体二极管所导致的...

2023-04-14 标签：MOSFET晶体管氮化镓 1378 0