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GaN(氮化镓)晶体管,特别是GaN HEMT(高电子迁移率晶体管),近年来在多个领域展现出广泛的应用场景。其出色的高频性能、高功率密度、高温稳定性以及...
GaN(氮化镓)晶体管和SiC(碳化硅)晶体管作为两种先进的功率半导体器件,在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而,它们在材料...
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)作为一种先进的功率半导体器件,在电力电子、高频通信、汽车电子等多个领域展现出了显著的优势,但同时也存在一些缺...
GaN(氮化镓)晶体管,特别是GaN HEMT(高电子迁移率晶体管),是近年来在电力电子和高频通信领域受到广泛关注的一种新型功率器件。其结构复杂而精细,...
在GaN快充问世的前两年,许多人还处在观望状态,然而再经过两年之后,GaN在快充上的应用已经愈发成熟,并席卷快充市场。GaN等第三代半导体的出现,为各相...
安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更简单容易
GaN功率器件的应用在消费类产品电源近年相当普及,大大提升了电源的效率和功率密度,其优点和用量递增,也逐渐延伸到服务器和工业电源领域。 安森美(ons...
GaN MOSFET(氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种新型的功率器件,具有高功率密度、高效率和快速开关速度等优点。与传统的硅基MOSFET相比...
纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017在激光雷达中的优势
自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向,而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。纳芯微的单通道高速栅极驱动芯片NSD...
#参考设计#72 W基于PowiGaN的InnoSwitch 4-QR超紧凑型电源
72 W隔离反激式电源,适用于采用InnoSwitch 4-QR(INN 4275 C-H186)高频准谐振开关IC的电器,可实现最小Transform...
24W原边GAN电源芯片方案U8607是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管,可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。
外置OTP及主动降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特点有哪些
深圳银联宝科技最新推出的U8733,是一款30W PD GAN带OTP保护及主动降功率功能的PD快充芯片,与之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...
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