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CoolGaN和增强型GaN(通常指的是增强型高电子迁移率晶体管,即e-mode HEMT)在概念上有所重叠,但具体来说,它们之间的区别主要体现在以下几...
#参考设计#(900 V PowiGaN 开关)的 60 W 隔离反激式适配器
使用 InnoSwitch3-EP(900 V PowiGaN 开关)的 60 W 隔离反激式适配器 *附件:DER-982 60W 12V5A 90-...
GaN(氮化镓)晶体管,特别是GaN HEMT(高电子迁移率晶体管),近年来在多个领域展现出广泛的应用场景。其出色的高频性能、高功率密度、高温稳定性以及...
GaN(氮化镓)晶体管和SiC(碳化硅)晶体管作为两种先进的功率半导体器件,在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而,它们在材料...
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)作为一种先进的功率半导体器件,在电力电子、高频通信、汽车电子等多个领域展现出了显著的优势,但同时也存在一些缺...
GaN(氮化镓)晶体管,特别是GaN HEMT(高电子迁移率晶体管),是近年来在电力电子和高频通信领域受到广泛关注的一种新型功率器件。其结构复杂而精细,...
在GaN快充问世的前两年,许多人还处在观望状态,然而再经过两年之后,GaN在快充上的应用已经愈发成熟,并席卷快充市场。GaN等第三代半导体的出现,为各相...
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