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半导体材料Si、SiC和GaN 优势及瓶颈分析

作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。

2020-09-11 标签：SiCGaN半导体器件 1.2万 0

探讨条件GAN在图像生成中的应用

条件GANs已经应用与多种跟图像有关的任务中了，但分辨率通常都不高，并且看起来很不真实。而在这篇论文中，英伟达和加州大学伯克利分校的研究人员共同提出了一...

2018-01-11 标签：gan深度学习 1.2万 0

GaN使充电器设计发生革命

氮化镓（GaN）开关技术使充电器和适配器的小型化取得了重大进展。 GaN晶体管的开关效率很高。 这允许开发转换器，该转换器可以以比使用等效硅器件的电路更...

2020-10-23 标签：充电器GaN 1.2万 0

GAN新手必读：如何将将GAN应用于NLP（论文笔记）

GAN 自从被提出以来，就广受大家的关注，尤其是在计算机视觉领域引起了很大的反响。“深度解读：GAN模型及其在2016年度的进展”［1］一文对过去一年G...

2017-11-22 标签：gannlp 1.2万 0

氮化镓充电器有什么优点？拆解倍思120W氮化镓充电器,从内部来看这个充电器如何?

倍思120W氮化镓充电器是一款120W氮化镓 (GaN）+碳化硅（SiC) 充电器。 有2个USB Type-C输出接口和1个USB Type-A输出接...

2021-08-31 标签：充电器asic氮化镓 1.1万 0

SiC性能在实际应用中已经超过GaN

作者：United Silicon Carbide公司新产品导入经理Zhongda Li 宽带隙器件的承诺 诸如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带...

2018-02-28 标签：场效应晶体管SiCGaN 1.1万 1

充电机直流母线上的纹波会影响电池寿命吗？详细数据分析

电池是一个不同SOC和频率存在较大响应差异的，纹波的迭代主要在频率响应上对电池产生影响。

2018-09-15 标签：SOCGAN充电机 1.0万 0

什么是宽禁带半导体？

半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代...

2023-05-05 标签：SiC氮化镓GaN 1.0万 0

GaN-HEMT器件的动态R DSon值测量实验分析

GaN（氮化镓）器件由于具有诸如高开关速度，更高的功率密度和效率之类的能力而在设计电源转换器时变得越来越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一个缺点是电...

2021-03-22 标签：功率转换器测量电路GaN 1.0万 0

氮化镓(GaN)技术的优势及应用领域

氮化镓 (GaN) 晶体管于 20 世纪 90 年代亮相，目前广泛应用于商业和国防领域，但工程应用可能大相径庭。不相信?可以理解。但在您阅读本书之后，可...

2022-03-10 标签：射频氮化镓GaN 1.0万 0

导入Cascode结构　GaN FET打造高效率开关

射频（RF）应用的氮化镓（GaN）电晶体已面世多年，最近业界的重点开发面向为电力电子应用的经济型高性能GaN功率电晶体。十几家半导体公司都在积极开发几种...

2014-01-10 标签：场效应管GaNCascode 9986 1

使用Buck芯片直接生成负压的解决方案

在产品设计、电子电路应用中，会经常使用到负电压电源。

2023-09-27 标签：BUCK晶体管GaN 9972 0

氮化镓(GaN)功率器件技术解析

氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电...

2023-11-06 标签：MOSFET晶体管功率器件 9629 0

二极管的特性及损耗分析

本文用于记录二极管特性及损耗分析。

2023-03-08 标签：二极管SiC损耗 9619 0

特伦托大学与Inria合作：使用GAN生成人体的新姿势图像

使用GAN（对抗生成网络）生成人体的新姿势图像。研究人员提出的可变形跳跃连接和最近邻损失函数，更好地捕捉了局部的纹理细节，缓解了之前研究生成图像模糊的问...

2018-01-29 标签：gan网络架构深度学习 9557 0