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正确使用并联氮化镓晶体管

电源转换器的设计人员正在寻找提高效率同时增加系统功率密度的方法。 宽带隙 (WBG) 技术提供了答案。 由氮化镓 (GaN) 制成的晶体管作为一种解决方...

2022-08-04 标签：MOSFET晶体管GaN 1605 0

半桥GaN应用中的交叉传导解决方案

为了以整流方式获得和谐同步的双向电流控制，在半桥和全桥GaN 应用中必须具有互补驱动信号。为避免交叉传导，有目的地将死区时间放置在驱动信号的高侧和低侧。...

2022-08-04 标签：探头GaN 2748 0

48V电源系统中的GaN FET应用

对于 48V 电源系统中的 GaN FET 应用，现有的一种方法是使用基于 DSP 的数字解决方案来实现高频和高效率设计。这在很大程度上是由于缺乏设计用...

2022-08-04 标签：控制器FETGaN 818 0

测量基于GaN的电源中的交叉传导

这种测量交叉传导的简单且经济高效的方法利用了GaN 晶体管的独特特性。

2022-08-04 标签：电源晶体管GaN 655 0

被GaN扼杀的硅、分立功率器件

四十年来，随着功率 MOSFET 结构、技术和电路拓扑的创新与不断增长的电力需求保持同步，电源管理效率和成本稳步提高。然而，在新千年中，随着硅功率 MO...

2022-08-04 标签：MOSFET功率器件GaN 801 0

Pre-Switch基于AI逆变器可实现电动汽车的高效率

利用其基于人工智能的 DC/AC、AC/DC 软开关技术，Pre-Switch 展示了如何通过在每个开关位置仅使用三个分立的低成本 35mΩ SiC F...

2022-08-04 标签：电动汽车逆变器AI 1082 0

IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的统一视图和价格-性能分析

在设计电力电子设备时，我们需要评估所有业务需求和技术要求，以优化设计周期时间，从而以更低的成本实现更高性能的系统。这是DiscoverEE及其创始人 S...

2022-08-04 标签：IGBT功率SiC 4330 0

GaN实现下一代高频电路

提高功率密度的关键是提高开关频率，以最大限度地减少无源元件，例如变压器、EMI 滤波器、大容量电容器和输出电容器，同时保持或提高效率。自 1996 年以...

2022-08-04 标签：电容器GaN高频电路 956 0

基于GaN的高功率稳压输出电源方案

随着这些基于 DPA 的服务器和工作站随着时间的推移变得越来越小，在这些系统中启用 IBA 方案的隔离式 DC/DC 转换器或砖也必须如此。包括四分之一...

2022-08-03 标签：fpga微处理器GaN 1116 0

用于电机驱动应用的GaN器件

今天，永磁电机，也称为直流无刷电机，应用广泛，与其他电机相比，可提供更高的每立方英寸扭矩能力和更高的动态性能。迄今为止，硅基功率器件一直在逆变器电子产品...

2022-08-03 标签：逆变器GaN直流无刷电机 2252 0

GaN和SiC晶体管的区别

几十年来，硅一直主导着晶体管世界，但这种情况正在逐渐发生变化。已经开发出由两种或三种材料制成的化合物半导体，并具有独特的优势和卓越的特性。例如，化合物半...

2022-08-03 标签：晶体管SiCGaN 1670 0

一种基于GaN的BTP PFC电路和LLC谐振转换器的实现

驻留在数据中心的大量服务器(每台服务器都配备中央处理单元 (CPU)、图形处理单元 (GPU) 和存储大量数据的内存)需要越来越多的功率。更小、更轻、更...

2022-08-03 标签：PFCGaN谐振转换器 2142 0

氮化镓 (GaN) 技术：属性、优点、不同制造工艺及最新进展

本章将深入探讨氮化镓 (GaN) 技术 ：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解 ：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱...

2022-07-29 标签：半导体氮化镓GaN 1.8万 0

采用GaN的多相MHZ转换器

氮化镓 (GaN)器件可实现航空航天、交通运输和医疗应用所需的高频、高密度电源。在布置印刷电路板 (PCB)时必须考虑某些设计规则和组件。例如，多层布局...

2022-07-29 标签：转换器DCGaN 564 0

适用于高达220W的USB PD 3.1 适配器的新型高压GaN解决方案

扩大新型 InnoSwitch4-CZ 和 ClampZero IC 的功率范围，使充电器/适配器设计人员能够轻松超过 23 W/in。3用于单输出或多...

2022-07-29 标签：控制器适配器GaN 765 0

GaN-on-Si功率技术:器件和应用

在过去几年中，氮化镓 (GaN) 在用于各种高功率应用的半导体技术中显示出巨大的潜力。与硅基半导体器件相比，氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙 (WB...

2022-07-29 标签：升压转换器氮化镓GaN 1286 0

用于1kW以上电机驱动应用的集成电路GaN逆变器

自问世以来，氮化镓技术开启了电力电子领域的新纪元。GaN 技术的三个最重要的参数是更高的带隙、临界场和电子迁移率。当这些参数结合起来时，由于 GaN 晶...

2022-07-29 标签：逆变器电机驱动GaN 2080 0

GaN和SiC功率器件的最佳用例

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采​​用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下...

2022-07-29 标签：充电器功率器件SiC 1153 0

使用GaN实现高功率密度和高效系统

氮化镓是电力电子行业的热门话题，因为它可以为电信电源等应用提供高效设计；电动汽车充电；加热，通风和空调; 电器；和消费电源适配器。在工业应用中，氮化镓取...

2022-07-29 标签：氮化镓GaN栅极驱动器 1092 0

如何用GaN开关实现高效率离线电源设计

与 InnoSwitch3 IC 一样，MinE-CAP 利用 PowiGaN 器件的小尺寸和低导通电阻来提高系统性能。MinE-CAP 根据交流线路电...

2022-07-28 标签：led充电器散热器 1174 0