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浅谈氮化镓和碳化硅的区别

几十年来，硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来，提供独特的优势和卓越的特性。例如，有了化合物半...

2022-04-01 标签：氮化镓 GaN 碳化硅 1.2万 0

新一代半导体材料氧化镓应用研究

在所有其他参数相同的情况下，对于电子应用，宽带隙(WBG)半导体优于窄带半导体(如硅)，因为导带和价带之间的大能量分离允许这些器件在高温和较高电压下工作...

2022-03-29 标签：半导体测量 GaN 2859 0

一文详细了解氮化镓(GaN)技术

本章将深入探讨氮化镓 (GaN) 技术：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱...

2022-03-17 标签：半导体氮化镓 GaN 1.6万 0

氮化镓(GaN)技术的优势及应用领域

氮化镓 (GaN) 晶体管于 20 世纪 90 年代亮相，目前广泛应用于商业和国防领域，但工程应用可能大相径庭。不相信?可以理解。但在您阅读本书之后，可...

2022-03-10 标签：射频氮化镓 GaN 1.0万 0

GaN电源系统性能升级的奥秘

如今，以GaN和SiC为代表的第三代半导体技术风头正劲。与传统的半导体材料相比，GaN和SiC禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电...

2022-02-25 标签：半导体功率器件 GaN 2338 0

GaN衬底制造过程中N面氮化镓清洗工艺的研究报告

氮化镓由于其宽的直接带隙、高热和化学稳定性，已成为短波长发射器（发光二极管和二极管激光器）和探测器等许多光电应用的诱人半导体，以及高功率和高温电子器件。...

2022-02-08 标签：氮化镓 CMP GaN 3420 0

GaN HEMT助力电机改革

对紧凑而强大的电动机的需求给设计工程师带来了新的挑战。为了最大限度地提高小型电机的功率输出，工程师们正在转向高压和高频操作。硅 (Si) 金属氧化物半导...

2022-02-08 标签：电容器电机 GaN 3056 0

采用可控湿法蚀刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽华林科纳

这本文中，我们提出了一种精确的，低损伤的循环刻蚀AlGaN/GaN的新方法，用于精确的势垒凹陷应用，使用ICP-RIE氧化和湿法刻蚀。设备功率设置的优化...

2021-12-13 标签：蚀刻 GaN 蚀刻工艺 2600 0

GaN 和 SiC 器件相似和差异

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有显着差异。

2021-11-17 标签：SiC GaN 半导体器件 4666 0

如何用一个Hercules微控制器来驱动GaN功率级

今天的博文是一个动手操作项目：你将用一个氮化镓（GaN）功率级、一个Hercules™ 微控制器和一个滚轮来调节一盏灯的亮度。我将会谈到其中的硬件和...

2022-02-06 标签：微控制器硬件 GaN 1134 0

GaN功率晶体管的动态导通电阻测量技术的挑战和方法

动态导通电阻对于 GaN 功率晶体管的可靠和稳定运行至关重要。然而，许多工程师都在努力评估动态 RDS(ON)，因为很难以足够的分辨率对其进行一致测量。...

2021-10-27 标签：电阻晶体管测量 6766 0

GaN 晶体管，开关电源的效率超过96%

可以使用极快的开关晶体管：超级结 MOSFET (SJ)、碳化硅 MOSFET (SiC) 和基于氮化镓 (GaN) 的晶体管；这些仍然比传统晶体管昂贵...

2021-10-14 标签：开关电源晶体管 GaN 4387 0

基于GaN的LLC解决方案缩小尺寸并提高效率

GaN 高电子迁移率晶体管 (GaN HEMT) 具有更低的驱动损耗和更短的死区时间电路优势，因为栅极显着减少与硅 MOSFET 相比，GaN 高电子...

2021-10-11 标签：GaN LLC 7690 0

氮化镓充电器有什么优点？拆解倍思120W氮化镓充电器,从内部来看这个充电器如何?

倍思120W氮化镓充电器是一款120W氮化镓 (GaN）+碳化硅（SiC) 充电器。有2个USB Type-C输出接口和1个USB Type-A输出接...

2021-08-31 标签：充电器 asic 氮化镓 1.1万 0

将GaN用于射频应用的所有优势

氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙材料，在高功率射频 (RF) 应用中具有显着优势。

2021-07-05 标签：射频 GaN MMIC 3126 0

LiDAR系统利用GaN的坚韧

LiDAR 代表 Light Detection and Ranging，即通过光带中的电磁辐射进行（远程）检测和测量。该设备应用了雷达的经典而简单的原...

2021-06-26 标签：电磁辐射 GaN ADAS系统 2515 0

电机驱动中氮化镓技术的应用前景

通过采用电子马达驱动器或“电压源逆变器”可实现对电机的增强型控制，此类驱动器通常会产生可变频率和幅值的三相交流电来控制马达的速度、扭矩和方向。驱动器采用...

2021-04-28 标签：电机驱动功率器件氮化镓 2570 0

利用GaN设计PFC整流器

传统的升压PFC仅使用一个有源开关，通常是650V超结Si MOSFET。当今，大多数常规开关电源都采用升压PFC，从而充分利用其简单性、低成本和可靠性...

2021-04-14 标签：整流器元器件 GaN 2957 0

【当代材料电学测试】系列之四：宽禁带材料测试

随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多，SiC、GaN等被广泛应用于射频与超高压等领域。

2021-03-26 标签：万用表 SiC GaN 1018 0

GaN Charger推荐方案- HGN093N12S/SL高频应用MOSFET

选用本款HGN093N12S/SL产品，可以让客户提高整机效率，并且温度也随之下降，效率提升之外，整体表现与CP值都能有效提升。

2021-03-23 标签：MOSFET MOS管氮化镓 3348 0

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蓝牙5是蓝牙技术联盟于2016年6月16日发布的新一代蓝牙标准。蓝牙5比原来拥有更快的传输速度，更远的传输距离。蓝牙5.0的开发人员称，新版本的蓝牙传输速度上限为24Mbps，是之前4.2LE版本的两倍。蓝牙5.0的另外一个重要改进是，它的有效距离是上一版本的4倍，理论上，蓝牙发射和接收设备之间的有效工作距离可达300米。
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