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纳微专家谈：氮化镓GaN HEMT有体二极管吗？

工程师于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向导通，那到底有还是没有体二极管？

2021-03-15 标签：二极管氮化镓 GaN 9612 0

GaN功率级设计的散热注意事项

GaN FET 实现了高频电源转换器设计。凭借出色的开关特性和零反向恢复损耗，这种轻量级设计具有更高的功率密度和更小的尺寸。

2020-12-10 标签：pcb 电路板电源转换器 1642 0

消除GaN-on-GaN器件热障的方法

GaN-HEMT以高效率提供高射频输出功率而闻名。由于这些特性，这类晶体管可以显著改善微波到毫米波无线电通信和雷达系统的性能。这些HEMTs可用于气象雷...

2020-11-29 标签：GaN 器件 3434 0

相对于硅（Si）和碳化硅（SiC），GaN有哪些优势

最终的器件是额定电压为650 V的FET，具有4 V的高阈值，小于15mΩ的导通电阻以及类似于单芯片的封装。

2020-12-07 标签：晶体管 SiC GaN 3459 0

基于GaN的PFC整流器及GaN无桥PFC拓扑、控制和性能

传统的升压PFC仅使用一个有源开关，通常是650V超结Si MOSFET。当今，大多数常规开关电源都采用升压PFC，从而充分利用其简单性、低成本和可靠性。

2021-03-09 标签：PFC GaN PFC整流器 4195 0

深度解读激光雷达系统设计的eToF激光驱动器系列

作者：Maurizio Di Paolo Emilio 高效功率转换（EPC）宣布了用于激光雷达系统设计的eToF激光驱动器系列。新的氮化镓（GaN）系...

2021-03-10 标签：GaN 光学传感器无人机 7659 0

如何采用氮化镓或GaN实现车辆电气化

作者：Maurizio Di Paolo Emilio 汽车行业正经历着从内燃机（ICE）到全电动未来的巨变。VisIC Technologies的功率...

2021-03-19 标签：电动汽车逆变器 GaN 5117 0

GaN-HEMT器件的动态R DSon值测量实验分析

GaN（氮化镓）器件由于具有诸如高开关速度，更高的功率密度和效率之类的能力而在设计电源转换器时变得越来越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一个缺点是电...

2021-03-22 标签：功率转换器测量电路 GaN 1.0万 0

通过EPC的GaN EPC2032的电路设计实验

GaN晶体管是新电源应用的理想选择。它们具有较小的尺寸，非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中，我们将使用EPC的Ga...

2021-03-23 标签：EPC GaN GaN晶体管 3605 0

SiC与石墨烯覆盖层一起用于GaN膜的生长

氮化镓（GaN）为从RF-IC到众多功率控制IC（例如通信，能源和军事应用中使用的大功率HEMT）等各种模拟微芯片提供了显着的性能优势。GaN还是高能效...

2021-04-04 标签：led SiC 氮化镓 1586 0

GaN和SiC基功率半导体的宽带隙技术

寻找硅替代物的研究始于上个世纪的最后二十年，当时研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验，这些材料显示出替代射频，发光，传感器和功率半导体的现有硅材...

2021-04-01 标签：二极管功率器件 GaN 2317 0

GaN转变充电器设计方案详解

氮化镓（GaN）开关技术使充电器和适配器的小型化取得了进步。与使用等效硅器件的电路相比，它允许开发可在高开关频率下工作的转换器。GaN减小了变压器的尺寸...

2021-04-07 标签：转换器电源开关 AC-DC 3816 0

基于GaN的功率晶体管和集成电路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。

2021-04-23 标签：MOSFET 晶体管功率器件 3450 0

氮化镓和Sslicon在各种性能指标上的比较

硅制造技术已经足够成熟，可以大规模生产直径达18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底选择范围从硅或蓝宝石基底（便宜但较大的晶...

2021-05-26 标签：微处理器晶体管氮化镓 1575 0

基于GaN芯片的电源转换方案设计

作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化镓（GaN）功率器件已投入生产10多年，除了性能和成本方...

2021-05-26 标签：功率器件氮化镓 GaN 3028 0

GaN使充电器设计发生革命

氮化镓（GaN）开关技术使充电器和适配器的小型化取得了重大进展。 GaN晶体管的开关效率很高。这允许开发转换器，该转换器可以以比使用等效硅器件的电路更...

2020-10-23 标签：充电器 GaN 1.2万 0

碳化硅有哪些优势？能应用在那些方面

电力电子朝向碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽能隙（WBG）材料发展，虽然硅仍然占据市场主流，但SiC与GaN器件很快就会催生新一代更高效的技术解决方案。

2020-10-17 标签：二极管 MOSFET GaN 8732 0

GaN晶体管在AC/DC电路设计中的重要性和作用

大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长，因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是，电力电子行业中的硅MOSF...

2020-09-30 标签：AD 晶体管 GaN 3614 0

激光雷达的工作原理及如何利用氮化镓消除隐患

在实际的激光雷达系统中，传统的硅器件(例如MOSFET)无法为其激光驱动器实现提供必要的性能。为了增强控制，MOSFET的沟道必须很大，这会导致寄生电容...

2021-02-21 标签：散热器氮化镓 GaN 6673 0

GaN将彻底改变数据中心电源数据中心市场是下一个角逐点

高可靠性，高性能氮化镓功率转换产品供应商Transphorm与贝尔集团（Bel Group）联合宣布Bel的钛效率电源中使用了六个Transphorm的...

2021-01-22 标签：功率转换器氮化镓 GaN 1982 0

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