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氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲...
【泰克电源设计与测试】致工程师系列之四:宽禁带半导体器件GaN、SiC设计优化验证
选择TIVH差分探头的基本原则是以驱动信号的上升时间为依据,仪器系统对被测点的影响小于3%。上管信号测量考虑因素:带宽、电压范围(共模和差模)、CMRR和连接。
【泰克电源设计与测试】致工程师系列之三:高效GaN电源设计八部曲,泰克系列视频课堂实操秘籍
由于可以在较高频率、电压和温度下工作且功率损耗较低,宽禁带半导体(SiC 和 GaN)现在配合传统硅一同用于汽车和 RF 通信等严苛应用中。
氮化镓GaN详细对比分析 纳微和英诺赛科氮化镓GaN产品应用
作者:马坤 (邮箱:kuner0806@163.com) 随着中国芯GaN产品上市,引起了大家的关注,PD产品更是多姿多彩;纳微GaN产品和英诺赛科Ga...
由于2 月13 日小米在新品发表会中,除了推出小米10 系列外,更宣布采用氮化镓(GaN) 作为原料的充电器,一时间原本GaN 在射频领域热烧的话题,快...
介绍 最新的纳微GaNFast 电源集成电路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封装内。这个封装增加了一个大的冷却片,用于降低封装的热...
采用NV611X系列氮化镓GaN 半桥应用PCB layout
采用NV611X系列氮化镓GaN 半桥应用PCB layout 作者 :马坤 邮箱:kuner0806@163.com NV611X系列 半桥应用电路图...
消费者目前已经开始体验5G技术的优势,它不仅能够凭借超快的下载速度与固网宽带匹敌,而且将来还可能在蜂窝网络服务区域内支持更高密度的移动设备和互连的物联网...
Power Integrations(PI)于2019年7月27日发布了结合PowiGaN技术的全新InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关...
基于Agilent ADS仿真软件的GaN宽带功率放大器设计
新一代半导体功率器件主要有SiC场效应晶体管和GaN高电子迁移率晶体管。有别于第一代的Si双极型功率晶体管和第二代GaAs场效晶体管,新一代SiC和Ga...
在计算机视觉领域,深度学习方法已全方位在各个方向获得突破,这从近几年CVPR 的论文即可看出。但这往往需要大量的标注数据,比如最著明的ImageNet数...
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳...
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