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雷达的常见分类方法及发展趋势

GaN技术可以提高雷达的性能和适用性，但也需要更多的测试和优化，在雷达中的应用有以下优势和劣势：优势： GaN提供更高的功率水平和更强的鲁棒性，可以提...

2023-07-10 标签：氮化镓 GaN 683 0

宽带隙技术能极大提高高压 LED 照明的效率和功率密度

作者：得捷电子事实证明，高压 LED 照明可以有效地取代高强度放电（HID）照明等先前技术。随着高压 LED照明得到采用，许多制造商争相生产并在各...

2023-10-03 标签：led 二极管转换器 683 0

使用 GaN 器件可以减小外置医用 AC/DC 电源的体积

作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美编辑尽管电池技术和低功耗电路不断取得进步，但对于许多应用来说，完全不依赖纯电池设计可能是...

2024-02-13 标签：电源 DC GaN 682 0

下一代射频芯片工艺路径是什么样的

在建模实验中，imec 的研究人员比较了140GHz工作频率下三种不同功率放大器实现的性能：全 CMOS 实现、带有 SiGe 异质结双极晶体管 (HB...

2023-08-14 标签：功率放大器移动通信 GaN 676 0

纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017在激光雷达中的优势

自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向，而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。纳芯微的单通道高速栅极驱动芯片NSD...

2024-07-01 标签：GaN 驱动芯片激光雷达 675 0

芯元基实现高效纯红光量子点芯片技术分析

芯元基的量子点MIP技术，在GaN晶圆的每个子像素的侧壁均做有金属电极结构，这种结构除了有利于像素的共阴极设计外，也可以更好的解决独立子像素间的光串扰问...

2023-07-13 标签：Mini GaN 量子点 664 0

如何验证 GaN 的可靠性

鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。

2023-07-13 标签：氮化镓程序 GaN 663 0

测量基于GaN的电源中的交叉传导

这种测量交叉传导的简单且经济高效的方法利用了GaN 晶体管的独特特性。

2022-08-04 标签：电源晶体管 GaN 655 0

氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。只...

2023-02-20 标签：pcb 驱动器晶体管 654 0

生成对抗网络GAN的七大开放性问题

生成对抗网络在过去一年仍是研究重点，我们不仅看到可以生成高分辨率（1024×1024）图像的模型，还可以看到那些以假乱真的生成图像。此外，我们还很兴奋能...

2023-03-17 标签：神经网络 GaN 650 0

简述纳微GaNSense技术及专利布局

充电器，已经成为每个人的生活必需品。充电器的结构是否紧凑，能否提供更高的功率和更短的充电时间，对消费电子企业和消费者都非常重要，在这种背景下，让氮化镓已...

2022-11-09 标签：充电器 GaN 纳微半导体 650 0

使用电源管理模块有效控制GaN功率放大器的电源开关

众所周知，因为 GaN PA 需要使用特定的偏置时序，所以在某些设计中，GaN 功率放大器的上电和下电可能会具有挑战性。如果处理不当，可能会导致组件损坏...

2023-02-22 标签：功率放大器电源管理 GaN 649 0

使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容

本文介绍了使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容。它分为四部分：双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。

2023-02-19 标签：SiC GaN 功率半导体器件 648 0

Gan FET：为何选择共源共栅

在过去几年里，GaN技术，特别是硅基GaN HEMT技术，已成为电源工程师的关注重点。该技术承诺提供许多应用所需的大功率高性能和高频开关能力。然而，随着...

2023-02-09 标签：驱动器晶体管 GaN 647 0

一文详解PowiGaN、硅和SiC性能比较

基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 开关是PI恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技术...

2023-11-02 标签：MOS管氮化镓 GaN 647 0

用一个Hercules LaunchPad开发套件控制GaN功率级

与LMG5200评估模块 (EVM) 一同提供的还有一块驱动GaN集成电路 (IC) 的电路。你需要将其断开，并且连接你的LaunchPad开发套件。

2023-04-14 标签：微控制器集成电路 GaN 644 0

集成的专业知识为X波段PA提供最佳的氮化镓解决方案

氮化镓是在高频应用中实现高效运行的无可争议的技术，例如 X 波段（8–12 GHz）的应用。SiC器件上的GaN可以为这些应用提供急需的高温可靠性和...

2023-05-20 标签：SiC 氮化镓 GaN 641 0

浅谈第三代半导体的氮化镓性能优势

新型电子器件 GaN 材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE 技术在 GaN 材料...

2023-11-17 标签：MOSFET IGBT 氮化镓 636 0

硅基氮化镓技术到底有啥优势？

具体而言，SiC 近年来在很多领域都有应用，比如工业领域。对于 GAN 来说，可使用场景非常广泛。SiC 产品在高功率市场中有着很好的应用，例如 IGB...

2023-02-10 标签：IGBT SiC GaN 631 0

碳化硅上的氮化镓是唯一可行的长期5G解决方案

5G还围绕提供满足带宽、延迟和数据速度新要求的连接所需的技术和基础设施设计带来了新的思维。它不仅需要在宏观层面实现致密化——这意味着更多的基站——还需要...

2023-05-24 标签：GaN 碳化硅 5G 630 0

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蓝牙5是蓝牙技术联盟于2016年6月16日发布的新一代蓝牙标准。蓝牙5比原来拥有更快的传输速度，更远的传输距离。蓝牙5.0的开发人员称，新版本的蓝牙传输速度上限为24Mbps，是之前4.2LE版本的两倍。蓝牙5.0的另外一个重要改进是，它的有效距离是上一版本的4倍，理论上，蓝牙发射和接收设备之间的有效工作距离可达300米。
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自iphone7取消3.5mm插孔后蓝牙耳机市场得到迅猛发展，蓝牙耳机种类也层出不穷，TWS蓝牙耳机两耳挂不需要有线连接，一经面世TWS无线蓝牙耳机开始大行其道。
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　　智能工业：是将具有环境感知能力的各类终端、基于泛在技术的计算模式、移动通信等不断融入到工业生产的各个环节，大幅提高制造效率，改善产品质量，降低产品成本和资源消耗，将传统工业提升到智能化的新阶段。
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智慧家庭是智慧城市的最小单元，是以家庭为载体，以家庭成员之间的亲情为纽带，结合物联网、云计算、移动互联网和大数据等新一代信息技术，实现低碳、健康、智能、舒适、安全和充满关爱的家庭生活方式。
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