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茂睿芯推出全新一代氮化镓技术LD-GaN

氮化镓（GaN）作为第三代半导体器件，凭借其优异的性能，在PD快充领域被广泛使用。

2023-06-02 标签：变压器氮化镓 GaN 556 0

C2000实时微控制器(MCU)应对GaN开关挑战

与碳化硅（SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关...

2023-07-24 标签：微控制器 mcu GaN 548 0

什么是LiDAR？LiDAR技术的新时代前景广阔未来可期

什么是LiDAR？ LiDAR 是Light Detection And Ranging（激光探测与测距）的缩写，是使用近红外光、可见光或紫外光照射...

2024-05-16 标签：GaN Rohm 激光探测技术 542 0

安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更简单容易

GaN功率器件的应用在消费类产品电源近年相当普及，大大提升了电源的效率和功率密度，其优点和用量递增，也逐渐延伸到服务器和工业电源领域。安森美（ons...

2024-07-23 标签：驱动器安森美功率器件 528 0

隔离式栅极驱动器的演变（IGBT/SiC/GaN）

报告内容包含：效率和功率密度推动变革基本的 MOSFET 栅极驱动器功能驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）驱动器进化以支持 ...

2023-12-18 标签：MOSFET IGBT SiC 517 0

氮化镓半导体设备

按晶圆尺寸计算，GaN半导体器件市场的6英寸及以上GaN晶圆部分预计在预测期内将录得更高的复合年增长率。此尺寸范围的晶圆使制造商能够提高生产力并在单个批...

2023-02-12 标签：晶圆 GaN 半导体器件 517 0

CCPAK - GaN FET顶部散热方案

长期以来，在功率应用方案中，热管理一直是挑战。当项目有空间放置大型的散热器时，从电路板和半导体器件上将废热导出较为容易。然而，随着输出功率提升以及功率密...

2023-02-09 标签：半导体散热器 GaN 517 0

GaN闪耀，但它并不是天空中唯一的星星

那么，这是否意味着GaN将在每种应用中取代GaAs？答案是否定的，这就是为什么Microchip生产分立式以及GaN和GaAs MMIC产品，并拥有业内...

2023-04-23 标签：放大器 mcu GaN 516 0

在毫米波范围内提供高性能的可靠GaN器件

在整个应力作用下，性能略有下降。正如预期的那样，跨导和漏电流随着时间的推移而减小。电子迁移率下降对温度的影响

2023-12-02 标签：电子迁移 GaN 毫米波 508 0

最有发展前途的宽禁带半导体材料——金刚石基GaN问世

美国国防部高级研究计划局(DARPA)微系统技术办公室主任Mark Rosker在去年举办的CS Mantech上表示，化合物半导体行业将很快进入第三波...

2023-07-17 标签：GaN 金刚石宽禁带半导体 502 0

650V氮化镓芯片U8722AH的工作原理

针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成本的增加。氮化镓芯片U8722AH集成了...

2024-09-06 标签：芯片氮化镓 GaN 499 0

氮化镓的市场在哪些领域？封装技术是怎样的？

氮化镓(GaN)作为一种宽带隙化合物半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、导热系数高、开关频率高、抗辐射能力强等优点。其中，高开关频率意味着应用电路...

2023-09-07 标签：封装技术氮化镓 GaN 498 0

如何通过PaddleHub快速实现计算机视觉任务

具体的说，就是让机器去识别摄像机拍摄的图片或视频中的物体，检测出物体所在的位置，并对目标物体进行跟踪，从而理解并描述出图片或视频里的场景和故事，以此来模...

2023-10-30 标签：摄像机机器视觉 GaN 497 0

全芯时代单通道低侧GaN驱动器

该芯片是一款单通道低侧GaN FET和逻辑电平MOSFET驱动器，可应用于LiDAR、飞行时间、面部识别和低侧驱动的功率转换器等领域。

2023-06-30 标签：MOSFET 驱动器 GaN 495 0

SiC和GaN的共源共栅解决方案

GaN和SiC器件比它们正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有数以亿计的此类设备，其中许多每天运行数小时，因此节省的能源将是巨大的。

2023-03-29 标签：电动汽车 led 逆变器 492 0

GaN和SiC功率器件的特性和应用

如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高...

2024-10-18 标签：半导体 SiC 氮化镓 488 0

预匹配氮化镓功放管参考应用电路

基于D1A32 GaN器件设计的功放，在1.3-1.8GHz内, 饱和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。注: Pulse输入,周期为1mS...

2023-11-02 标签：雷达氮化镓 GaN 484 0

浅谈GaN 异质衬底外延生长方法

HVPE（氢化物气相外延法）与上述两种方法的区别还是在于镓源，此方法通常以镓的氯化物GaCl3为镓源，NH3为氮源，在衬底上以1000 ℃左右的温度生长...

2023-06-11 标签：GaN GaN晶体管 482 0

GaN IC设计系统级优势分析

数字 GaN 是使用 GaN IC 实现卓越性能的一个很有前途的选择。这是一种颠覆性的数字控制方法。模拟信号块不再“转换”为数字信号块。

2023-02-19 标签：MOSFET 晶体管数字控制 479 0

10项优化GaN PCB的建议

自从 40 多年前，第一款开关电源问世以来，PCB 的布局就一直是电力电子设计中不可或缺的一环。无论采用哪种晶体管技术，我们必须理解和管理 PCB 布局...

2024-01-16 标签：pcb 晶体管 GaN 474 0

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