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在使用太阳能作为可再生能源方面，我们面临着两大主要挑战 – 效率和成本。虽然在过去数年内有了显着改进，但在将阳光转换为电能时，采用当今最新光伏(PV)技...
氮化镓(GaN)具有六方纤锌矿结构，直接带隙约为3.4eV，目前已成为实现蓝光发光二极管(led)的主导材料。由于GaN的高化学稳定性，在室温下用湿法化...
GAN的风暴席卷了整个深度学习圈子，任何任务似乎套上GAN的壳子，立马就变得高大上了起来。那么，GAN究竟是什么呢？ **GAN的主要应用目标：*...
作者：Bill Schweber 对更高效利用能源的推动、更严格的法规要求以及低温运行的技术优势，所有这些都为近来降低电机功耗的举措提供了支持。虽然硅 ...
来源：电子工程专辑 比碳化硅器件，氮化镓功率器件在同时对效率、频率、体积等综合方面有要求的场景中，将更有优势，比如氮化镓基器件已成功规模应用于快充领域。...
报告内容包含： 动机 理论计算 氮化镓材料参数 固有载流子浓度 击穿电压 (VB) 通态电阻 (RON)
第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为代表，它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术的发展，第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和锑化铟（InSb...
CoolGaN和增强型GaN（通常指的是增强型高电子迁移率晶体管，即e-mode HEMT）在概念上有所重叠，但具体来说，它们之间的区别主要体现在以下几...
如今，我们已经无法想象没有电的生活了。我们生活的各个方面越来越依赖于电力。而在电力的生产、分发和使用过程中，功率转换起着至关重要的作用。
如今，越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要，因为它有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源的尺寸并降...
基于GaN的转换器在所有情况下都具有更高的效率和更低的工作温度，最高效率为 96.8%，最低 94.5%。此外，随着开关频率和死区时间的增加，基于硅的转...
在GaN快充问世的前两年，许多人还处在观望状态，然而再经过两年之后，GaN在快充上的应用已经愈发成熟，并席卷快充市场。GaN等第三代半导体的出现，为各相...
传统的硅基功率器件在应对这一挑战时，其性能已经接近极限。碳化硅（SiC）功率器件的出现，为电力电子行业带来了革新性的改变，成为了解决这一问题的关键所在。
用于深紫外线传感应用的GaN型紫外线传感器。 与Si型紫外线传感器相比，新产品对UV-B和UV-C深紫外线具有更高的灵敏度。 通过使用GaN,产品的...
早期的氮化镓(GaN)功率器件需要复杂、昂贵且频率受限的外部电路，以及复杂的封装来保护和控制脆弱的栅极，这严重限制了市场的采用。单片集成的GaN功率IC...
GaN 、SiC很有可能在高压高频方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高压领域；GaN MOSFET 主打高频领域。
电动汽车中的辅助电源，也被称为辅助电源模块(APM)，是车辆不可或缺的组成部分。其主要功能是将动力电池中的电能高效地传输给低压电气负载和12V蓄电池。随...
氮化镓(GaN)功率器件中千伏特击穿电压的演示长期以来一直激励着电力电子和其他应用的优化。这是由于电力系统中转换效率的潜力大大提高。GaN器件可分为...
毫无疑问，宽带隙 (WBG) 技术已得到广泛应用。碳化硅(SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶体管正迅速成为工业、消费类及其他电源应用领域的首选器件。
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