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什么是LiDAR？LiDAR技术的新时代前景广阔未来可期

什么是LiDAR？ LiDAR 是Light Detection And Ranging（激光探测与测距）的缩写，是使用近红外光、可见光或紫外光照射...

2024-05-16 标签：GaN Rohm 激光探测技术 542 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受时间

在本文中，我们将讨论氮化镓 (GaN) HEMT 功率器件中的一个关键参数，即短路耐受时间 (SCWT)。

2024-05-09 标签：功率器件 GaN HEMT 724 0

R24C2T25可简化SiC的选择和评估过程

毫无疑问，宽带隙 (WBG) 技术已得到广泛应用。碳化硅(SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶体管正迅速成为工业、消费类及其他电源应用领域的首选器件。

2024-05-06 标签：转换器晶体管 GaN 396 0

SiC与GaN 功率器件中的离子注入技术挑战

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比，它们具有更高的效率、功率...

2024-04-29 标签：功率器件 SiC GaN 1068 0

晶体管级异质集成技术及其实用案例分析

化合物半导体微波器件的典型特点是不同结型器件性能差异明显，表1给出了几种常用的化合物半导体微波器件与Si CMOS性能对比，另外化合物半导体还拥有GaA...

2024-04-24 标签：集成电路二极管晶体管 1022 0

适用于自主驾驶车辆 LiDAR 的 GaN FET 快速指南

作者：Kenton Williston 激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中，大多都有人类...

2024-05-05 标签：FET 激光二极管测量 720 0

如何利用 GaN 功率器件实现出色的中等功率电机变频器

作者：Bill Schweber 对更高效利用能源的推动、更严格的法规要求以及低温运行的技术优势，所有这些都为近来降低电机功耗的举措提供了支持。虽然硅 ...

2024-05-05 标签：变频器电机驱动功率器件 463 0

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

氮化镓具有许多内在材料优势，如宽能隙和高电子迁移率。当用作横向高电子迁移率晶体管(HEMT)器件时，这些特性可用于获得功率转换性能优势，因为其无反向恢复...

2024-04-18 标签：氮化镓 GaN HEMT 1132 0

使用先进的控制方法提高GaN-based PFC的功率密度

High switching frequencies are among the biggest enablers for small size. To...

2024-04-18 标签：PFC GaN 功率密度 2148 0

DC/DC隔离电源助力绿色低碳新发展

在汽车、工业和逆变器应用中，对在更高输出功率水平下提高效率的需求日益增长。而在电动汽车 (EV) 领域，通过提高电机驱动效率和加快电池充电速度，此类优化...

2024-04-07 标签：MOSFET 电池充电隔离电源 570 0

深度学习生成对抗网络（GAN）全解析

GANs真正的能力来源于它们遵循的对抗训练模式。生成器的权重是基于判别器的损失所学习到的。因此，生成器被它生成的图像所推动着进行训练，很难知道生成的图像...

2024-03-29 标签：gpu GaN 生成器 4357 0

二维材料异质外延GaN及其应用探索

传统的GaN异质外延主要在蓝宝石衬底、Si衬底或者SiC衬底，在剥离的过程中，如蓝宝石就特别困难，会产生较大的材料损耗和额外成本，且剥离技术也有待进一步提高。

2024-03-28 标签：功率器件石墨烯 GaN 764 0

四种将被氮化镓革新电子设计的中压应用

除了业界已经采用的高压 GaN（额定值 >=600V）外，新的中压 GaN 解决方案（额定值 80V-200V）也日益受到欢迎，可在高压 GaN ...

2024-03-15 标签：逆变器电池电压氮化镓 4188 0

同轴分流器在SiC和GaN器件中的测量应用

随着现代电力电子的高速发展，SiC/GaN 功率器件的应用越来越广泛，工程师经常要测量频率高达数百 kHz，电流高达数十安培的功率电路。

2024-03-13 标签：功率器件 SiC GaN 1024 0

半导体衬底和外延有什么区别？

衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。

2024-03-08 标签：GaN 单晶硅半导体制造 1418 0

新型隔离式Σ-Δ调制器如何提高和增强系统电流测量精度

最新的隔离式调制器通过优化内部模拟设计和使用最新斩波技术来改善失调和增益误差相关的性能，这极大地简化了系统设计并减少了校准时间。最新ADuM770x器件...

2024-03-07 标签：adc SiC 调制器 618 0

集成栅极驱动器的GaN ePower超快开关

氮化镓场效应晶体管在许多电力电子应用中持续获得关注，但氮化镓技术仍处于其生命周期的早期阶段【1】。虽然基本FET性能品质因数还有很大的提升空间，但GaN...

2024-03-05 标签：氮化镓 GaN 激光驱动器 2887 0

适配MOSFET栅极驱动器以驱动GaN FETs

GaN FETs以其体积小、切换速度快、效率高及成本低等优势，为电力电子产业带来了革命性的变化。然而，GaN技术的快速发展有时超出了专门为GaN设计的栅...

2024-02-29 标签：MOSFET GaN 栅极驱动 783 0

为什么GaN被誉为下一个主要半导体材料？

拥有能够在高频下高功率运行的半导体固然很好，但尽管 GaN 提供了所有优势，但有一个主要缺点严重阻碍了其在众多应用中替代硅的能力：缺乏 P -类型。

2024-02-29 标签：CMOS NMOS 半导体材料 340 0

目前存在哪些与800V电动汽车动力总成架构有关的设计和测试挑战

电动汽车 (EV) 普及率的上升激发了市场对优化设计、降低成本和提升车辆运行效率的需求，并为产品测试提出了新的难题。

2024-02-19 标签：电动汽车逆变器功率转换器 915 0

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