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凭借领先的GaNFast™氮化镓功率芯片+强力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的产品组合,纳微半导体以双擎驱动的姿态在电力电子能源转换领域高歌前进。
通过凹槽切断栅极下方的2DEG,使得器件在零栅压下为关断状态。当正栅压增至大于阈值电压时,将在栅界面处形成电子积累层以作为器件的导电沟道,器件呈导通状态。
拥有能够在高频下高功率运行的半导体固然很好,但尽管 GaN 提供了所有优势,但有一个主要缺点严重阻碍了其在众多应用中替代硅的能力:缺乏 P -类型。
对于 GaN,中文名氮化镓,我们实在是听得太多了。 这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始,一夜之间,GaN 就如雨后春笋般...
GaN 的普及根植于其高电源和高电压功能。这些特性使其适用于许多应用,包括微波射频 (RF) 和功率开关应用。
如今,追求功率密度和效率是当今众多行业创新的最大动力,包括数据中心、可再生能源、消费电子产品、电动汽车和自动驾驶汽车等。
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