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安森美半导体GaN晶体管——追求更快、更智能和更高能效

氮化镓(GaN)，作为时下新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势。与硅器件相比，GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃，广泛应用于功率因数...

2016-06-28 标签：安森美氮化镓 GaN 2731 0

如何用集成驱动器优化氮化镓性能？

氮化镓（GaN）晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关...

2016-06-06 标签：驱动器氮化镓 GaN 2730 0

用集成驱动器优化GaN性能

氮化镓（GaN）晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关...

2016-05-09 标签：GaN 集成驱动器共源电路 3033 0

确定GaN产品可靠性的综合方法

　　TI正在设计基于GaN原理的综合质量保证计划和相关的应用测试来提供可靠的GaN解决方案。氮化镓（GaN）的材料属性可使电源开关具有令人兴奋且具有突破...

2016-04-25 标签：德州仪器晶体管 GaN 2890 0

GaN（氮化镓）将推动电源解决方案的进步

实现更加高效的电力转换是应对当前增长的人口和能源需求的一个关键技术目标。能够有效推动这一目标达成的重要创新就是在电源应用中使用氮化镓（GaN）。

2015-04-08 标签：LED照明 SMPS GaN 2132 0

导入Cascode结构　GaN FET打造高效率开关

射频（RF）应用的氮化镓（GaN）电晶体已面世多年，最近业界的重点开发面向为电力电子应用的经济型高性能GaN功率电晶体。十几家半导体公司都在积极开发几种...

2014-01-10 标签：场效应管 GaN Cascode 9989 1

利用SiC和GaN实现AC-AC转换器薄型化

　最近，采用可大幅削减电力损耗的新一代功率元件的试制示例接连出现。此次邀请了安川电机，针对采用SiC功率元件的AC-AC转换器以及采用GaN功率元件的功...

2013-09-22 标签：SiC GaN AC-AC转换器 1630 0

大尺寸磊晶技术突破 GaN-on-Si基板破裂问题有解

近年来氮化镓（GaN）系列化合物半导体材料已被证实极具潜力应用于液晶显示器（LCD）之背光模组、光学储存系统、高频与大功率之微波电子元件等商业用途。然而...

2013-06-06 标签：LCD 氮化镓 GaN 2532 0

功率半导体的革命：SiC与GaN的共舞

功率半导体”多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前，功率半导体材料正迎来材料更新换代，这些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓），二...

2013-03-07 标签：SiC GaN 功率半导体 4833 0

基于氮化镓的LED具有更低成本效益

过去在电子工业中知名的普莱思半导体有限公司，已交付到能够一次处理7个6英寸的晶片的Aixtron（爱思强）公司，并用于生产高亮度LED。普莱思正在利用自...

2012-07-31 标签：LED 氮化镓晶片 1796 0

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5G网络作为最新一代的移动互联网通讯技术，相对4G而言，网速更快；5G手机是指使用第五代通信系统的智能手机。相对4G手机，5G手机有更快的传输速度，低时延，通过网络切片技术，拥有更精准的定位。
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