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量产GaN晶圆的KABRA工艺流程

半导体制造设备厂商DISCO Corporation（总部：东京都大田区；总裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一种使用激光加工的晶锭切片...

2023-08-25 标签：半导体晶圆功率器件 826 0

友尚推出基于ST ViperGaN50 的先进准谐振反激式高效能高密度15V/3A 45W GaN功率电源转换器

一款基于 VIPERGAN50 的隔离式电源是一款新型离线高压转换器，具有 650 V HEMT 功率 GaN 晶体管，专为准谐振反激式转换器设计，能够...

2023-04-21 标签：转换器意法半导体 GaN 845 0

基于ST 的ST-ONEHP的140W的符合PD3.1的ERP能效标准的参考电源设计

专门设计来控制ZVS非互补有源的钳式反激(ACF)转换器，以创建高功率密度充电器和适配器带USB-PD EPR接口。

2023-04-04 标签：意法半导体 GaN 快充 854 0

基于ST 意法半导体ST-ONE和MASTERGAN4的超高功率密度65W USB Type-C PD 3.1解决方案

ST-ONEMP与意法半导体的MasterGaN功率技术配套使用。 MasterGaN技术包含意法半导体的集成栅极驱动器的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体...

2023-03-16 标签：意法半导体 GaN Type 906 0

氮化镓衬底和外延片哪个技术高衬底为什么要做外延层

氮化镓衬底是一种用于制造氮化镓（GaN）基础半导体器件的基板材料。GaN是一种III-V族化合物半导体材料，具有优异的电子特性和高频特性，适用于高功率、...

2023-08-22 标签：功率放大器半导体材料氮化镓 3919 0

氮化镓外延为何不生长在氮化镓衬底上？

第三代半导体材料拥有硅材料无法比拟的材料性能优势，从决定器件性能的禁带宽度、热导率、击穿电场等特性来看，第三代半导体均比硅材料优秀，因此，第3代半导体的...

2023-08-18 标签：led 半导体氮化镓 716 0

电脑电源为什么不用氮化镓氮化镓充电器好还是原装充电器好

虽然GaN在功率器件领域有很大的潜力，但目前仍存在一些技术和经济上的挑战，使得它在电脑电源领域的应用受到限制。其中一个主要因素是成本。目前，GaN的制造...

2023-08-17 标签：充电器功率器件氮化镓 1.1万 0

数明半导体SiLM824x系列隔离双通道门级驱动器介绍

数明半导体最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔离双通道门级驱动器。SiLM8243和SiLM8244配置为高、低边驱动，而SiLM824...

2023-08-15 标签：驱动器功率器件 GaN 1301 0

华林科纳的化合物半导体异质集成

定制化合物半导体并将其集成到外国衬底上的能力可以带来卓越或新颖的功能，并对电子、光电子、自旋电子学、生物传感和光伏的各个领域产生潜在影响。这篇综述简要描...

2023-08-14 标签：半导体晶体管 GaN 718 0

下一代射频芯片工艺路径是什么样的

在建模实验中，imec 的研究人员比较了140GHz工作频率下三种不同功率放大器实现的性能：全 CMOS 实现、带有 SiGe 异质结双极晶体管 (HB...

2023-08-14 标签：功率放大器移动通信 GaN 676 0

下一代射频芯片工艺路在何方？

年复一年，越来越多的用户通过无线方式传输越来越多的数据。为了跟上这一趋势并使数据传输更快、更高效，第五代移动通信 (5G) 正在推出，业界已经在关注未来...

2023-08-14 标签：CMOS 功率放大器发射器 1083 0

Kyosemi Gan型紫外线传感器产品概述

用于深紫外线传感应用的GaN型紫外线传感器。与Si型紫外线传感器相比，新产品对UV-B和UV-C深紫外线具有更高的灵敏度。通过使用GaN,产品的...

2023-08-11 标签：传感器 GaN 紫外线传感器 423 0

几种led衬底的主要特性对比氮化镓同质外延的难处

GaN半导体产业链各环节为：衬底→GaN材料外延→器件设计→器件制造。其中，衬底是整个产业链的基础。作为衬底，GaN自然是最适合用来作为GaN外延...

2023-08-10 标签：led 功率器件氮化镓 1559 0

功率器件的材料演进之路

如今，我们已经无法想象没有电的生活了。我们生活的各个方面越来越依赖于电力。而在电力的生产、分发和使用过程中，功率转换起着至关重要的作用。

2023-08-10 标签：半导体功率器件 SiC 438 0

基于GD32F303的高频DC/DC变换器解决方案

车载充电器（OBC）是电动汽车和混合动力汽车的重要组成部分(HEV)。OBC通常由一个AC/DC(功率因数校正电路)和一个隔离式DC/DC转换器。

2023-08-10 标签：电动汽车变换器 DC-DC 1297 0

氮化镓有源相控阵雷达难点氮化镓有源相控阵雷达优点

GaN器件具有高功率密度和高热耗散特性。在有源相控阵雷达中，需要高功率的射频信号来驱动每个天线元素，这要求对高功率GaN器件的射频功率和热管理进行有效的...

2023-08-08 标签：射频信号氮化镓 GaN 7201 0

INN650D150A增强功率晶体管GaN

650V硅上GaN增强模式功率晶体管，英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸，增强型晶体管-正常关闭电源开关

2023-08-07 标签：GaN 功率晶体管 2217 0

什么是半导体材料？半导体材料的发展之路

半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料，是半导体工业的基础。利用半导体材料制作的各种各样的半导体器件和集成电路，促进了现代信息社会的飞速发展。

2023-08-07 标签：集成电路半导体材料 SiC 3611 0

罗姆的氮化镓解决方案优势及路线图

氮化镓（GaN）是一种第三代半导体材料，与硅相比，它的禁带宽度、击穿场强、电子饱和速度都大大优于硅，尤其在高频和高速开关状态下。由于其出色的电子移动性、...

2023-08-02 标签：电磁干扰氮化镓 GaN 727 0

高效氮化镓电源设计方案 GaN在基于图腾柱PFC的电源设计中实现高效率

氮化镓 (GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，...

2023-08-01 标签：电源整流器德州仪器 2096 0

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蓝牙5是蓝牙技术联盟于2016年6月16日发布的新一代蓝牙标准。蓝牙5比原来拥有更快的传输速度，更远的传输距离。蓝牙5.0的开发人员称，新版本的蓝牙传输速度上限为24Mbps，是之前4.2LE版本的两倍。蓝牙5.0的另外一个重要改进是，它的有效距离是上一版本的4倍，理论上，蓝牙发射和接收设备之间的有效工作距离可达300米。
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5G网络作为最新一代的移动互联网通讯技术，相对4G而言，网速更快；5G手机是指使用第五代通信系统的智能手机。相对4G手机，5G手机有更快的传输速度，低时延，通过网络切片技术，拥有更精准的定位。
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　　智能工业：是将具有环境感知能力的各类终端、基于泛在技术的计算模式、移动通信等不断融入到工业生产的各个环节，大幅提高制造效率，改善产品质量，降低产品成本和资源消耗，将传统工业提升到智能化的新阶段。
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智慧家庭是智慧城市的最小单元，是以家庭为载体，以家庭成员之间的亲情为纽带，结合物联网、云计算、移动互联网和大数据等新一代信息技术，实现低碳、健康、智能、舒适、安全和充满关爱的家庭生活方式。
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三星集团是韩国最大的企业集团，包括85个下属公司及若干其他法人机构，在近70个国家和地区建立了近300个法人及办事处，员工总数20余万人，业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。
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蓝牙5.0是由蓝牙技术联盟在2016年提出的蓝牙技术标准，蓝牙5.0针对低功耗设备速度有相应提升和优化，蓝牙5.0结合wifi对室内位置进行辅助定位，提高传输速度，增加有效工作距离。
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5G毫米波技术是5G应用中一项重要的基础技术，毫米波指的是一种特殊电磁波，波长为1毫米到10毫米，波动频率为30GHz-300GHz。相对于6GHz以下的频段，毫米波具有大带宽、低空口时延和灵活弹性空口配置等独特优势，可满足未来无线通信对系统容量、传输速率和差异化应用等方面的需求。
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