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GaN开发的PC200材料的特点及使用时的要点

随着能够高频驱动的半导体“GaN”的普及，开关电源的高频化也逐渐变成了现实。变压器产品中使用铁氧体材料，但根据驱动频率的不同，磁芯损耗（铁耗）会有很大的...

2023-08-22 标签：变压器半导体开关电源 964 0

“后起之秀”氮化镓未来几大新的增长点

来源：电子工程专辑比碳化硅器件，氮化镓功率器件在同时对效率、频率、体积等综合方面有要求的场景中，将更有优势，比如氮化镓基器件已成功规模应用于快充领域。...

2023-07-24 标签：氮化镓 GaN 465 0

罗姆推出650VGaN HEMT和栅极驱动器

通常GaN Hemt驱动存在2个难题：驱动电压低，容易误启动；栅极耐电压低，栅极容易损耗，因此需要专门的驱动器，不仅增加了设计复杂度，也额外增加了系统成本。

2023-07-23 标签：驱动器 GaN 外围电路 724 0

IGBTs给高功率带来了更多的选择

绝缘栅双极性晶体管（IGBT）面市已有些时日，事实上，通用电气（GE）早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起，IGBT成为了中压和高压（...

2023-07-20 标签：IGBT 晶体管 SiC 787 0

最有发展前途的宽禁带半导体材料——金刚石基GaN问世

美国国防部高级研究计划局(DARPA)微系统技术办公室主任Mark Rosker在去年举办的CS Mantech上表示，化合物半导体行业将很快进入第三波...

2023-07-17 标签：GaN 金刚石宽禁带半导体 509 0

芯元基实现高效纯红光量子点芯片技术分析

芯元基的量子点MIP技术，在GaN晶圆的每个子像素的侧壁均做有金属电极结构，这种结构除了有利于像素的共阴极设计外，也可以更好的解决独立子像素间的光串扰问...

2023-07-13 标签：Mini GaN 量子点 667 0

雷达的常见分类方法及发展趋势

GaN技术可以提高雷达的性能和适用性，但也需要更多的测试和优化，在雷达中的应用有以下优势和劣势：优势： GaN提供更高的功率水平和更强的鲁棒性，可以提...

2023-07-10 标签：氮化镓 GaN 685 0

利用C2000实时MCU提高GaN数字电源设计实用性

与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换...

2023-07-23 标签：mcu 数字电源 GaN 690 0

C2000实时微控制器(MCU)应对GaN开关挑战

与碳化硅（SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关...

2023-07-24 标签：微控制器 mcu GaN 552 0

GaN基Micro LED领域南京大学取得新突破

GaN基Micro LED与其驱动（如HEMT、MOSFET等）的同质集成能充分发挥出GaN材料的优势，获得更快开关速度、更高耐温耐压能力以及更高效率的...

2023-07-07 标签：OLED lcd GaN 581 0

如何验证 GaN 的可靠性

鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。

2023-07-13 标签：氮化镓程序 GaN 663 0

如何改进GaN-on-Si技术的射频性能

年复一年，越来越多的用户通过无线方式传输越来越多的数据。为了跟上这一趋势并使数据传输更快、更高效，第五代移动通信 (5G) 正在推出，业界已经在关注未来...

2023-07-06 标签：射频接收器移动通信 626 0

针对氮化镓的优化KABRA工艺，可使产能提升近40%！

切割出片数量方面，以2英寸、5mm的氮化镓晶锭为例，在切割指定厚度为400微米的衬底时，KABRA工艺可切11片，相比之下出片数量增加了37.5%。

2023-07-04 标签：SiC 氮化镓 GaN 959 1

车规级功率器件可靠性测试难点及应用场景

车规级功率器件未来发展趋势材料方面: SiC和GaN是必然趋势，GaAs在细分领域有可能 ●封装方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●评测方面:...

2023-07-04 标签：功率器件 SiC GaN 768 0

GaN的欧姆接触实验

GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。金属与半导体接触可以形成肖特基接触，...

2023-07-02 标签：半导体欧姆光电器件 3679 0

40W两级高效无频闪GaN方案OB3674P+OB8652V介绍

随着办公照明和商业照明市场日趋成熟，高PF、低谐波、低成本、无频闪、高光效等需求已成为用户的首选。为了满足用户高效节能、高可靠性和电源驱动小型化的要求，...

2023-06-30 标签：PFC Boost GaN 3638 0

全芯时代单通道低侧GaN驱动器

该芯片是一款单通道低侧GaN FET和逻辑电平MOSFET驱动器，可应用于LiDAR、飞行时间、面部识别和低侧驱动的功率转换器等领域。

2023-06-30 标签：MOSFET 驱动器 GaN 496 0

GaN器件特性影响因素有哪些？

GaN开始为人所知是在光电LED市场，广为人知则是在功率半导体的消费电子快充市场。但实际上，GaN最初在功率半导体领域的目标据说是新能源汽车市场，而非消...

2023-06-29 标签：氮化镓 GaN 华灿光电 618 0

车规级氮化镓（GaN）技术有何优势？

作为电力电子领域的核心技术之一，基于GaN的电能转换技术在消费电子、数据中心等领域有广泛应用，这对提高电能的高效利用及实现节能减排起着关键作用。

2023-06-29 标签：数据中心氮化镓 GaN 1035 0

全方面的电池应用解决方案

越来越多的无线和电池供电设备越来越多地渗透到日常生活中，其中包括电动汽车（EV）与太阳能储能系统等应用，如何对电池进行高效率的管理将是重要课题。本文将为...

2023-06-28 标签：MOSFET GaN 电源系统 943 0

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蓝牙5是蓝牙技术联盟于2016年6月16日发布的新一代蓝牙标准。蓝牙5比原来拥有更快的传输速度，更远的传输距离。蓝牙5.0的开发人员称，新版本的蓝牙传输速度上限为24Mbps，是之前4.2LE版本的两倍。蓝牙5.0的另外一个重要改进是，它的有效距离是上一版本的4倍，理论上，蓝牙发射和接收设备之间的有效工作距离可达300米。
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5G网络作为最新一代的移动互联网通讯技术，相对4G而言，网速更快；5G手机是指使用第五代通信系统的智能手机。相对4G手机，5G手机有更快的传输速度，低时延，通过网络切片技术，拥有更精准的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后蓝牙耳机市场得到迅猛发展，蓝牙耳机种类也层出不穷，TWS蓝牙耳机两耳挂不需要有线连接，一经面世TWS无线蓝牙耳机开始大行其道。
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太赫兹是一种新的、有很多独特优点的辐射源；太赫兹技术是一个非常重要的交叉前沿领域，给技术创新、国民经济发展和国家安全提供了一个非常诱人的机遇可能引发科学技术的革命性发展。
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蓝牙5.0是由蓝牙技术联盟在2016年提出的蓝牙技术标准，蓝牙5.0针对低功耗设备速度有相应提升和优化，蓝牙5.0结合wifi对室内位置进行辅助定位，提高传输速度，增加有效工作距离。
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