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PKIV6100(1GHz)光隔离探头在 GaN 器件超高速开关特性测试中的应用
GaN 氮化镓器件具备超高速开关、低导通电阻、高频工作能力,开关边沿可达亚纳秒级,常规探头带宽不足、寄生参数大,无法还原真实波形,导致损耗计算错误、驱动...
意法半导体发布EVSTDRVG611MC氮化镓电机控制参考设计
意法半导体EVSTDRVG611MC氮化镓(GaN)电机控制参考设计主打家电和工业驱动设备,在不加装散热器的条件下输出功率可达600W以上,确保终端设备...
近日,备受行业瞩目的2026九峰山论坛在武汉隆重开幕。本届论坛以“新赛道、新技术、新产品、新市场”为主题,汇聚了国内外院士专家、行业领袖与产业链代表,共...
光谷芯材与昌龙智芯联合发布化合物半导体新品,填补国内高压功率器件空白
近日,在2026年九峰山论坛期间,光谷芯材联合(武汉)科技有限公司与北京昌龙智芯半导体有限公司联合发布两款化合物半导体新品——RF及Power GaN外...
深度解析CXAC85308:一颗内置GaN、无需辅助绕组的33W快充反激芯片如何重塑设计流程
推出的 CXAC85308 正是为解决这些痛点而设计的。它将700V GaN功率管、高压自供电电路及VCC电容全部集成在内部,直接从高压直流母线取电,彻...
让快充更高效:集成GaN的APFC反激控制器如何提升功率密度与能效
随着USB‑PD快充和可编程电源适配器的普及,消费者对充电器的要求越来越高:不仅要有65W、100W甚至更高功率,还要体积小巧、发热低、兼容全球电网。传...
电子发烧友网综合报道 最近英诺赛科和纳微都公布了2025年全年财报,作为GaN领域最具代表性的两家上市公司(transphorm被瑞萨收购后已退市),过...
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)随着中高压电力电子系统在近五年的快速发展,对功率密度、转换效率的要求不断提高,SiC在汽车、工业等各种中高压场景已经实现对...
基于SiC MOSFET高频LLC变换器的平面变压器绕组交错与寄生参数精细化优化
在当今以数据中心、电动汽车车载充电器(On-Board Charger, OBC)、可再生能源逆变器以及航空航天电气化为代表的尖端电力电子领域中,系统对...
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日业界传出三星电子功率GaN晶圆代工产线即将投产,其8英寸GaN产线已进入量产前准备阶段,预计最早将在今年第二季度实现全...
瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关,标志着功率转换设计规范的重大变革
首款具备直流阻断功能的双向GaN技术,可大幅减少功率转换拓扑结构所需的开关数量 兼容标准栅极驱动器 支持软切换与硬切换模式,实现快速、干净的过渡 全球半...
瑞萨电子推出全新GaN充电方案,为广泛的工业及物联网电子设备带来500W强劲功率
基于GaN的HWLLC转换器拓扑结构,为下一代计算设备、电动工具及电动自行车树立功率密度与峰值效率新标杆 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:67...
新品 | 英飞凌600V CoolGaN™ Drive HB G5集成驱动器
新品英飞凌600VCoolGaNDriveHBG5集成驱动器CoolGaNDriveHB600VG5系列产品,在一个小巧的6x8TFLGA-27封装中,...
尽管宽禁带技术正在崛起,但传统的功率电子器件仍在持续进化并被广泛应用。凭借其出色的性价比、稳定的供应以及经过实际验证的可靠性,在小型化和轻量化无法带来较...
适用于65W GaN PD快充电源驱动器具有极高开关频率及稳定性能
概述: PC5200 是一种增强模式氮化镓(GaN-on-Silicon)晶体管。氮化镓是一种宽禁带半导体,具有高功率密度。氮化镓晶体管的特点是没有体二...
键合率达95%!三菱电机推进 GaN-on-Diamond 新技术
凭借其3.0MV/cm的高击穿电场及2.9×10⁷cm/s的高电子饱和漂移速度,已成为高功率、高频电子器件领域的核心材料。基于GaN的高电子迁移率晶体管...
2026年2月,美镓传感在新一轮股权融资中获得国新国证投资的领投,这是公司自合肥市产投资本和合肥高新投投资后的第二轮融资。 国新国证投资是中国国新、国新...
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