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聚能创芯完成1.7亿元A轮融资

近日，青岛聚能创芯微电子有限公司（以下简称“聚能创芯”）完成了一项重大里程碑，成功募集1.7亿元人民币的A轮融资。这一重要融资不仅为聚能创芯的快速发展注...

2024-01-03 标签：半导体氮化镓 GaN 844 0

基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件研究

硅基光电集成(硅光子)具有超高速、低功耗、低时延的优势;无需过分追求工艺尺寸的缩小。硅光产业今年市场规模将突破28亿美元，未来可达数百亿美元。

2024-01-02 标签：晶圆 GaN LED发光 1098 0

6英寸β型氧化镓单晶成功制备

2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出直径6英寸的β型氧化镓（β-Ga2O3）单...

2023-12-29 标签：功率器件 SiC GaN 1260 0

GaN溅射技术进展

氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势

2023-12-28 标签：MOSFET 氮化镓 GaN 750 0

基于外延层残余应变调控的InGaN基红光LED器件

III族氮化物半导体可用于固态照明、电源和射频设备的节能。

2023-12-28 标签：OLED 发光二极管 LED器件 1031 0

Transphorm：氮化镓应用进一步扩展，2024年下半年半导体市场将回暖

正值岁末年初之际，回顾过去的2023年，半导体产业整体处于下行周期，各大应用领域的市场表现并不理想。那么复盘2023年的半导体产业状况，能够发现哪些细分...

2023-12-27 标签：氮化镓 GaN 746 0

华大半导体旗下中电化合物荣获“2023年度SiC衬底/外延最具影响力产品奖”

近期，由第三代半导体产业知名媒体与产业研究机构“行家说三代半”主办的“2023年行家极光奖”颁奖典礼在深圳正式拉开帷幕，数家SiC&GaN企业代...

2023-12-27 标签：半导体 SiC GaN 578 0

低成本垂直GaN功率器件研究

随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。

2023-12-27 标签：功率器件 GaN 电流电压 987 0

CGD徐维利：生成式AI需求骤升，第三代半导体成关键

又到岁末年初时，电子发烧友网策划《2024半导体产业展望》专题，收到了数十位国内外创新领袖企业高管的前瞻观点。此次电子发烧友网特别采访了CGD亚太区FA...

2023-12-26 标签：GaN CGD 第三代半导体 2.1万 0

如何利用单根GaN纳米柱实现低功耗的微型人工突触器件呢？

近年来，人工智能、大数据和物联网对数据处理的速度和效率有更高的要求，而传统计算系统由于存储和计算结构的分离，其在处理数据密集型任务和人工智能任务时面临着...

2023-12-26 标签：神经网络物联网人工智能 633 0

必易微亮相亚洲电源技术发展论坛

12 月 23 日，由世纪电源网主办的第十四届“亚洲电源技术发展论坛”在深圳正式召开，本次活动涉及小功率、高功率、消费类电子、汽车、工业、5G、光伏储能...

2023-12-25 标签：功率开关 AC-DC GaN 882 0

增强GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能以适应实际器件应用

热管理在当代电子系统中至关重要，而金刚石与半导体的集成提供了最有前途的改善散热的解决方案。

2023-12-24 标签：半导体晶体管 SiC 1199 0

用于电动汽车的液冷GaN和SiC功率模块

电源模块的高级封装是非常重要。包装优化是提高性能的解决方案之一。

2023-12-24 标签：电动汽车电源模块 SiC 1129 0

针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用 CCPAK1212i 顶部散热封装技术，开创了宽禁带半导体和铜夹片封装相...

2023-12-24 标签：场效应管 FET 氮化镓 786 0

在金刚石上制造出的氮化镓晶体管散热性能提高2.3倍

氮化镓（GaN）晶体管在工作过程中产生的热量和由此引起的温升会导致性能下降并缩短器件的寿命，因此亟需开发有效的散热方法。

2023-12-22 标签：晶体管氮化镓 GaN 1065 0

栅极驱动DC/DC系列产品扩展

非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换器为 IGBT、Si、S...

2023-12-21 标签：驱动器 GaN dcdc转换器 556 0

全球大厂带节奏，日本功率半导体市场承受压力

近日，日本电子元器件领域的两家重要企业罗姆半导体和东芝，联合发布声明，计划进行一项巨额投资。

2023-12-21 标签：SiC GaN 存储芯片 263 0

具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究

GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。

2023-12-19 标签：led 半导体晶体管 711 0

韩国研究团队开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法

外媒消息，韩国首尔国立大学与成均馆大学的研究团队联合开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法，通过该技术研究团队生长出了LED微型阵列，并...

2023-12-18 标签：led LED技术 LED芯片 905 0

Sumitomo射频应用氮化镓 (GaN) 器件该怎么选？

氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。

2023-12-15 标签：氮化镓 GaN 砷化镓 684 0

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蓝牙5是蓝牙技术联盟于2016年6月16日发布的新一代蓝牙标准。蓝牙5比原来拥有更快的传输速度，更远的传输距离。蓝牙5.0的开发人员称，新版本的蓝牙传输速度上限为24Mbps，是之前4.2LE版本的两倍。蓝牙5.0的另外一个重要改进是，它的有效距离是上一版本的4倍，理论上，蓝牙发射和接收设备之间的有效工作距离可达300米。
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自iphone7取消3.5mm插孔后蓝牙耳机市场得到迅猛发展，蓝牙耳机种类也层出不穷，TWS蓝牙耳机两耳挂不需要有线连接，一经面世TWS无线蓝牙耳机开始大行其道。
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