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AMEYA360：罗姆确立超高速驱动控制IC技术

ROHM罗姆确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广...

2023-06-06 标签：控制器 GaN 罗姆半导体 695 0

SiC与GaN，谁拥有更广阔的星辰大海？

当下，低碳化和数字化齐头并进的发展，带来了万物互联、能源效率、未来出行等多重变革。而在这个突飞猛进的过程中，第三代半导体则发挥着重要作用。

2023-06-04 标签：SiC GaN 碳化硅 223 0

Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、...

2023-06-02 标签：GaN 488 0

支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率...

2023-05-30 标签：服务器 FET GaN 699 0

让GAN再次伟大！拽一拽关键点就能让狮子张嘴&大象转身

如此“有手就能做”的修图神器，来自一个MIT、谷歌、马普所等机构联手打造的DragGAN新模型，论文已入选SIGGRAPH 2023。

2023-05-24 标签：AI GaN GitHub 644 0

ROHM具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT

全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

2023-05-24 标签：GaN 罗姆半导体功率元器件 676 0

ROHM具有业界高性能的650V耐压GaN HEMT

全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

2023-05-18 标签：GaN HEMT Rohm 735 0

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率

英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...

2023-05-15 标签：MOSFET GaN HEMT 1087 0

多维科技在纽伦堡Sensor+Test展会上推2MHz带宽的可编程TMR265x线性传感器芯片

多维科技全新的TMR265x 线性磁场传感器芯片具有出色的温度稳定性和多功能性，为高速功率器件提供宽频谱电流检测方案。 2023年5月8日，多维科技将在...

2023-05-10 标签：传感器 SiC GaN 570 0

Nexperia(安世半导体)推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商。

2023-05-10 标签：FET GaN Nexperia 1145 0

纳微半导体携尖端GaN/SiC功率产品亮相PCIM 2023

作为欧洲领先的“电力转换与智能运动”领域专业盛会，PCIM 2023将于5月9日至11日在德国纽伦堡盛大召开，会上将展开超400篇国际技术论文的学术交流...

2023-05-08 标签：SiC GaN 纳微半导体 294 0

MTC-PD65W1C-CTA1快充电源-使用MTC-650V Cascode D-GaN

GaN/氮化镓作为第三代半导体材料经常被用在PD快充里面；氮化镓（GaN）拥有极高的稳定性，将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升...

2023-04-27 标签：电源氮化镓 GaN 413 0

介绍硅衬底GaN基Micro LED技术的发展情况

Micro LED新型显示具有巨大市场前景，也面临着一系列技术挑战。选择合理的产业化路线对推动Micro LED应用落地非常关键。

2023-04-26 标签：LED芯片氮化镓 GaN 2086 0

MK2562系列高性能CrM PFC控制器简介

PFC是功率因数校正(Power Factor Correction)的缩写，是一种电源管理技术，可以在交直流转换(ACDC)时提高电源对市电的利用率。...

2023-04-25 标签：控制器功率因数 PFC 1374 0

纳微半导体下一代GaNFast技术，10分钟内实现100%充电

获TÜV莱茵安全认证，这款realme GT3标配的双口SUPERVOOC的快速充电器基于两颗纳微NV6138氮化镓功率芯片打造而来，分别用于CRM P...

2023-04-25 标签：GaN 纳微半导体 513 0

GaN:RX65T300的原理、特点及优势

GaN是第三代半导体材料，具有许多传统硅半导体所不具备的优良特性，因此被视为新一代半导体技术，具有非常广阔的应用前景。随着 GaN功率器件技术的成熟， ...

2023-04-21 标签：半导体功率器件 GaN 1228 0

GaN:RX65T300 HS2A,240mΩ的原理、特点及优势

GaN:RX65T300 HS2A是一种基于氮化镓技术的功率器件，具有较低的导通电阻和开关损耗、高的开关速度和可靠性。其特点和优势如下：1. 低导通电阻...

2023-04-20 标签：功率器件氮化镓 GaN 986 0

65W氮化镓（GaN)充电头PD快充方案

65W快充是目前快充市场出货的主流规格；氮化镓具有高可靠性，能够承受短时间过压；将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附...

2023-04-20 标签：充电器 PD 氮化镓 1910 0

氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因

来源：德州仪器氮化镓正取代硅，越来越多地用于需要更大功率密度和更高能效的应用中作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高...

2023-04-19 标签：电源芯片氮化镓 355 0

氮化镓(GaN)带来电源管理变革的3大原因

作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。

2023-04-18 标签：驱动器电源管理德州仪器 811 0

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蓝牙5是蓝牙技术联盟于2016年6月16日发布的新一代蓝牙标准。蓝牙5比原来拥有更快的传输速度，更远的传输距离。蓝牙5.0的开发人员称，新版本的蓝牙传输速度上限为24Mbps，是之前4.2LE版本的两倍。蓝牙5.0的另外一个重要改进是，它的有效距离是上一版本的4倍，理论上，蓝牙发射和接收设备之间的有效工作距离可达300米。
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5G网络作为最新一代的移动互联网通讯技术，相对4G而言，网速更快；5G手机是指使用第五代通信系统的智能手机。相对4G手机，5G手机有更快的传输速度，低时延，通过网络切片技术，拥有更精准的定位。
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智慧家庭是智慧城市的最小单元，是以家庭为载体，以家庭成员之间的亲情为纽带，结合物联网、云计算、移动互联网和大数据等新一代信息技术，实现低碳、健康、智能、舒适、安全和充满关爱的家庭生活方式。
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5G毫米波技术是5G应用中一项重要的基础技术，毫米波指的是一种特殊电磁波，波长为1毫米到10毫米，波动频率为30GHz-300GHz。相对于6GHz以下的频段，毫米波具有大带宽、低空口时延和灵活弹性空口配置等独特优势，可满足未来无线通信对系统容量、传输速率和差异化应用等方面的需求。
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