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资料显示,BENY BYM2800微型逆变器额定输出功率为2800W,峰值效率为97.5%(欧洲效率为97%),可连接4个面板,并通过监控每个模块的发电...
全球继电器销售额呈现整体增长趋势,主要得益于汽车、家用电器、工业控制等传统下游市场稳定增长,以及新能源、人工智能(AI)、智能制造等新兴产业的快速发...
英飞凌大中华区首次线上举办生态创新峰会,推动本土低碳化、数字化发展
2022年12月14日-15日,英飞凌科技(中国)有限公司成功在线举办了以“数字智能、低碳未来” 为主题的OktoberTech™英飞凌生态创新峰会。O...
相比于横向功率电子器件,GaN纵向功率器件能提供更高的功率密度/晶圆利用率、更好的动态特性、更佳的热管理,而大尺寸、低成本的硅衬底GaN纵向功率电子器...
为了提高采用率,电动汽车必须提供安全性和便利性,在这种情况下,这主要与提高续航效率、更好的充电基础设施和更快的充电时间有关。硅器件不太可能达到所需的水平...
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)从消费电子电源类产品开始,GaN拉开了巨大市场发展空间的序幕,并逐渐往数据中心、汽车OBC甚至主驱逆变器等领域渗透。主流应...
2022-12-13 标签:GaN 2361 0
Ganvix与BluGlass合作开发基于GaN的绿光VCSEL
与此同时,总部位于澳大利亚的BluGlass正在开发一种称为远程等离子体化学气相沉积(RPCVD)的新型沉积技术,其不同于金属有机化学气相沉积(MOCV...
由于其固有的特性,宽禁带半导体(WBG)在许多功率应用中正逐步取代传统的硅基器件。碳化硅(SiC)功率MOSFET的击穿电压高于1kV,这是电动汽车逆变...
近年来,半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中。
2022-12-02 标签:GaN 650 0
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就车规氮化镓功率模块达成合作
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布与国际著名的为汽车行业提供先进电子器件的供应商 KYOCERA AVX Comp...
Wolfspeed的CG2H80120D是种氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较,GaN具备更优越的性能;CG2H8012...
闻泰科技 闪耀进博 万众瞩目的第五届中国国际进口博览会(以下简称“进博会”)在11月5日正式拉开帷幕,闻泰科技旗下Nexperia(安世半导体)、闻泰通...
GaN还有一些有趣的特性,让它在各方面更具吸引力。它的电子迁移率和熔点分别实现了高电流通道和更高的温度(或在相同或更低的温度下提高可靠性)。
AMCOM的AM021047SF-3H是款专门为通用型应用而设计宽带GaN功率放大器模块。AM021047SF-3H的输出功率为0.15GHz至1.1G...
宏光半导体氮化镓功率器件外延片产品正式投产 实现GaN业务产能落地 锐意创造全新盈利增长点
(2022年11月2日,香港)宏光半导体有限公司(「宏光半导体」,连同其附属公司统称「集团」; 股份代号:6908. HK)欣然宣布,集团近期已开始生产...
Wolfspeed的CG2H80060D是种氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较,GaN具备优异的性能指标;CG2H800...
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