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宽带隙半导体为通向太空铺平道路

自硅问世以来，宽带隙半导体，如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被证明是电力电子领域最有前途的材料。与传统的硅基技术相比，这些材料具有多个优势...

2022-08-08 标签：半导体 GaN 宽带隙半导体 1406 0

为电源管理铺平道路

氮化镓 (GaN)是一种宽带半导体材料 (WBG)，与硅一样，它可用于制造二极管和晶体管等半导体器件。电源设计人员会选择 GaN 晶体管而不是硅，因为它...

2022-08-08 标签：电源管理晶体管降压转换器 416 0

碳化硅和氮化镓的区别

经典电力电子设备中使用的所有类型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外，经典的硅器件在许多应用领域已经达到了极限。鉴于这些前提，很明显 WBG 技术是...

2022-08-08 标签：氮化镓 GaN 碳化硅 1.8万 0

用于下一代功率器件的金刚石基 GaN

由佐治亚理工学院机械工程学院领导的一个团队实施了一系列基于室温表面活化键合（SAB）的结果，以键合具有不同夹层厚度的 GaN 和单晶金刚石。新开发的技术...

2022-08-08 标签：工业功率器件 GaN 2304 0

GaN 增长因效率提升而呈爆炸式增长

电力电子系统的性能发生了重大转变，它由比硅 MOSFET 和 IGBT 更快、更小的 GaN 晶体管驱动。GaN 的性能表明效率和功率密度得到了显着提高...

2022-08-08 标签：半导体 GaN 效率 927 0

碳化硅在电力电子领域的应用挑战

碳化硅是一种非常高效的材料，具有高功率和高温特性。碳化硅 (SiC) 半导体是提高系统效率、支持更高工作温度和降低电力电子设计成本的创新选择。碳化硅是...

2022-08-08 标签：电力电子 GaN 碳化硅 1836 0

用于新型电力电子设备的垂直GaN器件

GaN 是一种高带隙材料，与硅相比，它允许器件在更高的温度下运行并承受更高的电压。此外，GaN 更高的介电击穿允许构建更薄且因此电阻更低的器件。较低的特...

2022-08-08 标签：转换器开关电源电力电子 1693 0

用于航空航天和国防的 GaN 和 SiC 解决方案

WBG 电源模块提供的特性和功能比其硅同类产品高出几个数量级，包括 10 倍的电压阻断能力、10 倍到 100 倍的开关速度能力以及十分之一的能量损失。...

2022-08-08 标签：电源 SiC GaN 1432 0

数字电源与 GaN 相结合可实现 99% 的效率

从电力电子设备使用真空管的早期开始，电力工程师就一直关注能效、功率优化以及如何使电源更可靠、更小、更智能。我们中可能很少有人记得引入了 Thyratr...

2022-08-08 标签：数字电源 GaN 816 0

汽车应用中的宽带隙材料

宽带隙半导体 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，与硅相比具有更出色的性能：更高的效率和开关频率、更高的工作温度和工作电压。EV ...

2022-08-08 标签：SiC GaN 碳化硅 889 0

工业家合作满足 GaN 和 SiC 市场需求

GaN和 SiC令人印象深刻的品质使它们深受业内人士的喜爱。然而，它带来了满足生产和供应需求的挑战，因此专业人士、投资者和工业家正在合作以确保足够的可用...

2022-08-08 标签：SiC GaN 878 0

GaN下游：功率、射频市场格局；国内外产业发展现状

【核芯观察】是电子发烧友编辑部出品的深度系列专栏，目的是用最直观的方式令读者尽快理解电子产业架构，理清上、中、下游的各个环节，同时迅速了解各大细分环节中...

2022-08-07 标签：功率器件氮化镓 GaN 6688 0

GaN材料MOSFET管测试对高带宽高压差分探头要求

GaN材料主要应用于偏低压应用例如800V以下的应用，像高功率密度DC/DC电源的40V-200V增强性高电子迁移率异质节晶体管（HEMT）和600V ...

2022-08-05 标签：MOSFET GaN 差分探头 766 0

GaN为高效功率器件铺平道路

MOSFET 和 IGBT 技术的引入还使硅能够在功率应用中使用，其特点是电流和电压特别高。

2022-08-05 标签：MOSFET IGBT GaN 851 0

宽禁带半导体前景乐观

对电子设备的需求激增正在推动半导体行业多个领域的增长。制造商通过使用非传统产品和应用程序添加差异化服务来寻求竞争优势。这一趋势的受益者是宽带隙（WBG...

2022-08-05 标签：电平转换器 GaN 宽禁带半导体 1690 0

GaN晶体管热管理指南

GaN 晶体管越来越多地用于各个领域：汽车领域、电力供应以及电流的转换和使用。这些组件将很快取代它们各自的前身。让我们来看看如何更好地管理不同的操作条件...

2022-08-05 标签：晶体管 GaN 热管理 1224 0

GaN和SiC等宽带隙技术的挑战

对硅替代品的探索始于上个世纪的最后二十年，当时研究人员和大学对几种宽带隙材料进行了试验，这些材料显示出在射频、发光、传感器和功率半导体等领域替代现有硅材...

2022-08-05 标签：二极管功率器件 GaN 820 0

基于 GaN 的 Dickson 转换器提高 EV 效率

电动汽车 (EV) 电力需求的增加已将传统的 12V 系统推至其最大容量 3 kW。因此，开发了一个补充 48-V 网络。1,2 48V 总线和内核电压...

2022-08-05 标签：电动汽车电源转换器 1075 0

GaN 与 Si 在 48 V 下的对比……前线最新消息

氮化镓 (GaN)器件以最小的尺寸提供最佳性能、提高效率并降低 48 V 电源转换应用的系统成本。在这些应用中，eGaN ® FET 和 IC 的应用迅...

2022-08-05 标签：半导体 EPC GaN 1342 0

测试、测量试验，确认 GaN 技术的价值

通过测试和测量持久力来评估电子设备的质量和耐用性。评估氮化镓 (GaN)价值的测试势在必行，因为它自诞生以来就具有巨大的潜力，可以实现更高效的功率转换，...

2022-08-05 标签：半导体工业 SiC 1219 0

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蓝牙5是蓝牙技术联盟于2016年6月16日发布的新一代蓝牙标准。蓝牙5比原来拥有更快的传输速度，更远的传输距离。蓝牙5.0的开发人员称，新版本的蓝牙传输速度上限为24Mbps，是之前4.2LE版本的两倍。蓝牙5.0的另外一个重要改进是，它的有效距离是上一版本的4倍，理论上，蓝牙发射和接收设备之间的有效工作距离可达300米。
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自iphone7取消3.5mm插孔后蓝牙耳机市场得到迅猛发展，蓝牙耳机种类也层出不穷，TWS蓝牙耳机两耳挂不需要有线连接，一经面世TWS无线蓝牙耳机开始大行其道。
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