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为了减小体积大的电感和电容元件的尺寸，激发了诸如氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN E-HEMT) 之类的宽带隙器件，并且已经观察到可以在少数几个器件中...
意法半导体 在PCIM Europe 虚拟会议上首次向业界展示了该公司用于汽车应用的集成式 STi 2 GaN系列 GaN 功率器件 。利用台积电的 G...
WiBotic 为无人机和机器人提供新型基于 GaN 的充电器和发射器
大功率自主充电系统市场正在以惊人的速度增长。WiBotic 公布了其在台式电池充电器和无线充电发射器方面的最新创新成果，用于无人机和采用 GaN 技术的...
第一个涉及采用基于 GaN 的 ACF 拓扑，它可以在没有任何振铃的情况下钳位初级开关电压，并将变压器泄漏能量回收到输出，而没有任何缓冲器损耗。该解决方...
现代电信卫星的结构旨在将它们放置在正确的轨道上并使其能够更有效地运行。卫星由核心部分组成，其中包含大部分电气设备、推进系统和相关的坦克。通过伽马射线、中...
在上一届Nexperia Power 现场活动中，许多行业领袖讨论了与氮化镓技术相关的不同话题。作为一种材料，在许多应用中，GaN 似乎比硅具有显着的内...
杜卡迪电动化。这家总部位于 Borgo Panigale 的意大利制造商将成为 2023 年开始的 FIM Enel MotoE 世界杯自行车的唯一供应...
氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，在电源应用中提供比硅更好的性能，正在取代传统的基于硅的 MOSFET，用于电路中的高效率和在更高温度和频率下运行...
随着硅基 MOSFET 和功率器件接近其物理极限，功率工程师已开始转向氮化镓 （GaN） 以提高性能并减小整体解决方案尺寸。
氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，其在多种电力电子应用中的使用量不断增长。这是由于这种材料的卓越性能，在功率密度、耐高温性和高开关频率下的操作方面...
在基本半导体特性（带隙、临界电场和电子迁移率）的材料比较中，GaN 被证明是一种优异的材料。“Si 的带隙略高于一个电子伏特，临界电子场为 0.23 M...
在 PV 和 ESS 设计中，逆变器通过切换 DC 输入，从面板或电池提供的可变 DC 电源产生稳定的 AC 电源。逆变器通常基于 H 桥电源架构，关键...
在过去几年中，太空市场通过采用太空系统中前所未有的新技术，一直在朝着更高效的电源解决方案迈进。太空硬件会受到包括电离辐射在内的恶劣环境条件的影响，因此需...
氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）正迅速获得采用，因为它能够提高效率并缩小电源供应器尺寸。不过，在投资这个技术之前，您可能仍会问自己GaN是否可靠。...
氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲...
GaN 是一种宽带隙半导体，它允许器件在比硅更高的温度和更高的电压下工作。此外，GaN 更强的介电击穿能力可以构建更小，因此电阻更低的器件。具有较小电容...
氮化镓 (GaN) 是一种化合物、宽带隙半导体，具有一些令人难以置信的特性。其中，它的开关速度比传统的硅基设备快几倍，从而减小了芯片和系统尺寸。此外，它...
2021 年是世界决定向氮化镓 (GaN) 敞开大门的过渡年。EPC 首席执行官 Alex Lidow 在 CES 周期间接受 Power Electr...
最近在推进宽带隙 (WBG) 电力电子器件方面取得了显着进展，这主要是由于其与 Si 器件相比具有更高的开关频率，以及它们因此能够提高开关模式电源转换器...
通过 FSB 的技术解锁低成本、大规模、优质的 GaN 晶圆
氮化镓 (GaN)已成为第三代半导体中事实上的材料。然而，以您需要的质量和您想要的热阻制造 GaN 晶圆仍然是 Fab 试图回答的问题。 GaN外延层与...
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