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宽带隙半导体：GaN 和 SiC 的下一波浪潮

AspenCore 的 2021 年 PowerUP 博览会 用一整天的时间介绍宽带隙 (WBG) 半导体，特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC...

2022-07-29 标签：半导体 SiC GaN 554 0

将 GaN 技术推向新的阶段

氮化镓 (GaN) 是一种宽禁带半导体材料，与硅相比，它具有出色的特性和性能，包括高效率、高开关速率、出色的热管理以及小尺寸和重量。要在功率应用中大量采...

2022-07-29 标签：GaN 器件 433 0

负责任地创新以应对当今的能源挑战

我们这一代面临的最大挑战是对能源的需求不断增长。在许多社会变革的推动下，全球人均用电量在过去 30 年中增长了 50%。我们家中的电器越来越多，所以家里...

2022-08-01 标签：能源 GaN 563 0

使用GaN制造半导体晶圆

通过使用下一代纳米和半导体晶圆技术，将您的技术提升到一个新的水平。RISE 是新兴技术的测试平台。ProNano 是一个数字创新中心，您可以在其中进行试...

2022-07-29 标签：半导体晶圆 GaN 841 0

回顾大佬对于氮化镓技术的看法

GaN 提高了功率转换级的效率，使其成为制造高效电压转换器中硅的可行替代品。与硅相比，GaN 具有许多优势，包括更高的能效、更小的尺寸、更轻的重量和更便...

2022-07-29 标签：晶体管氮化镓 GaN 567 0

提高宽带隙功率器件的故障分析精度

在电气领域，漏极和源极之间的漏电流 (I DSS ) 或栅极和源极之间的漏电流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般类别。将故障分析集中在...

2022-07-29 标签：MOSFET 场效应晶体管功率器件 912 0

增强型GaN HEMT的漏极电流特性

已经为基于 GaN 的高电子迁移率晶体管(HEMT)的增强模式开发了两种不同的结构。这两种模式是金属-绝缘体-半导体 (MIS) 结构，2具有由电压驱动...

2022-07-29 标签：晶体管 GaN HEMT 1244 0

新的GaN技术简化了驱动基于GaN的HEMT

虽然乍一看似乎比较简单，但这些器件的栅极驱动器电路需要仔细设计。首先，通常关闭的基于 GaN 的 HEMT 需要负电压来将其关闭并将其保持在关闭状态，从...

2022-07-29 标签：晶体管 GaN HEMT 1792 0

GaN晶体管的高级优势是什么

传统上，半导体生产中最常用的材料是硅 (Si)，因为它的资源丰富且价格实惠。然而，半导体制造商可以使用许多其他材料。此外，它们中的大多数都提供额外的好处...

2022-07-29 标签：晶体管氮化镓 GaN 1745 0

APEC 2022 上的电力电子：下一步是什么？

APEC是最重要的电力电子盛会之一。来自学术界和工业界的许多人有机会讨论了有关GaN 和 SiC的最新消息。在会议期间，我有机会与这么多专家交谈，并进一...

2022-07-30 标签：半导体 SiC APEC 2938 0

用于电气化的下一代 GaN

氮化镓是未来节能电动汽车和 5G 网络的关键组成部分。Hexagem是一家位于隆德大学的初创公司，正在瑞典研究机构Rise 测试平台 ProNano开发...

2022-07-29 标签：电动汽车半导体氮化镓 405 0

GaN 将射频应用推向新的阶段

除了可以被视为利基领域的航空航天和国防之外，GaN在电信市场中也占有重要地位，其中高功率密度、开关频率和效率（结合小尺寸）是强制性要求。

2022-07-29 标签：放大器射频晶体管 713 0

使用立方 GaN LED 进行高速通信

Kubos Semiconductors Ltd. 是一家基于立方氮化镓的 LED 开发商，与曼彻斯特大学和剑桥大学的研究人员合作，确定了 Kubos ...

2022-07-30 标签：led 照明 GaN 486 0

适用于CSP GaN FET的简单且高性能的热管理解决方案

本文将展示芯片级封装 (CSP) GaN FET 如何提供至少与硅 MOSFET 相同（如果不优于）的热性能。由于其卓越的电气性能，GaN FET 的尺...

2022-07-29 标签：pcb MOSFET 功率器件 634 0

GaN组件的单片集成提升了功率集成电路

本文分析了高性能肖特基势垒二极管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平台上的成功协...

2022-07-29 标签：MOSFET GaN dcdc转换器 1093 0

自主 GaN 功率 IC 提供高性能、可靠的电机驱动器

欧盟大约有 80 亿台电动机在使用，消耗了欧盟生产的近 50% 的电力。 1 由于提高效率和减少碳足迹是政府和行业的主要目标，因此存在多项举措来降低这些...

2022-07-30 标签：半导体 IC 电机驱动 631 0

电源设计说明：面向高性能应用的新型SiC和GaN FET器件分析

第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常强大，导通电阻 (R DS(on) ) 仅为 6 mΩ 和 750 V，是 UnitedSiC 九件套...

2022-07-29 标签：电源设计 SiP GaN 638 0

GaN：一场真正的革命

在设计基于氮化镓的转换器七年后，我们可以肯定地说，从硅 MOSFET 到 GaN 晶体管的转换是一个革命性事件，其规模可与 70 年代后期的功率 MOS...

2022-08-01 标签：转换器半导体氮化镓 611 0

老化测试提高了 SiC 和 GaN 的可靠性

新型宽带隙半导体（如碳化硅和氮化镓）在市场上的扩散对传统的老化和测试系统提出了挑战，因为裸片尺寸越来越小，并且组件可以承受更高的电压和温度。老化试验箱...

2022-07-29 标签：SiC GaN 老化测试 2142 0

GaN Power HEMT > 650 V：与 SiC MOSFET 的参数分析和比较

在过去几年中，SiC MOSFET 在高压 (600V) 和大功率应用中占据主导地位。热导率、高临界场、大大提高的开关效率以及在其表面形成二氧化硅的能力...

2022-07-30 标签：半导体设计 SiC 3559 0

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蓝牙5是蓝牙技术联盟于2016年6月16日发布的新一代蓝牙标准。蓝牙5比原来拥有更快的传输速度，更远的传输距离。蓝牙5.0的开发人员称，新版本的蓝牙传输速度上限为24Mbps，是之前4.2LE版本的两倍。蓝牙5.0的另外一个重要改进是，它的有效距离是上一版本的4倍，理论上，蓝牙发射和接收设备之间的有效工作距离可达300米。
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智慧家庭是智慧城市的最小单元，是以家庭为载体，以家庭成员之间的亲情为纽带，结合物联网、云计算、移动互联网和大数据等新一代信息技术，实现低碳、健康、智能、舒适、安全和充满关爱的家庭生活方式。
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蓝牙5.0是由蓝牙技术联盟在2016年提出的蓝牙技术标准，蓝牙5.0针对低功耗设备速度有相应提升和优化，蓝牙5.0结合wifi对室内位置进行辅助定位，提高传输速度，增加有效工作距离。
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