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氮化镓已成为事实上的第三代半导体材料。然而，以您需要的质量和所需的热阻制造 GaN 晶圆是晶圆厂仍在努力克服的挑战。
GaN 是一种新的生产半导体，有望在未来几年在许多应用中取代硅，而电池充电是第一个展示这种采用的大批量市场。如今，大多数用于电子产品的充电器都使用硅晶体...
不久前，SiC和GaN器件的应用还被认为是困难的，但到了2018年，这些技术的优势开始被应用到现实生活中。这项新技术成功背后的原因是什么？ SiC 和 ...
我们深入探讨了 WBG 技术的前景和缺陷，考察了这些硅替代品的优缺点，以及汽车和 5G 等要求苛刻的应用是否足以将 GaN 和 SiC 技术推向未来芯片...
每个世纪在人类努力的各个领域都有其重大发明。对于电力电子而言，21世纪正在加速发现宽带隙。在过去的二十年里，研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验...
氮化镓 (GaN) 解决方案的集成将使您拥有更小、功率更大的外壳。OPPO 宣布全面采用 Navitas Semiconductor 的 GaN (Ga...
由于其化学物理特性和高度可靠的制造工艺，硅 （Si） 多年来一直是制造无源和有源电子元件最常用的半导体。MOSFET 和 IGBT 技术的引入也使得 S...
与传统技术相比，氮化镓已被证明是射频领域多种应用的优质材料，其中可靠性、效率和减少吸收是基本要求。在制造过程中，氮化镓通常在高于 1000 °C 的温度...
提高功率密度的路线图从降低传导动态损耗开始。与碳化硅相比，氮化镓可以显着降低动态损耗，因此可以降低整体损耗。因此，这是未来实现高功率密度的一种方法。
Wibotic 的无人机和机器人配备新的基于 GaN 的充电器和发射器
大功率自主充电解决方案市场正在迅速扩大，Wibotic 宣布了其在台式电池充电器以及使用 GaN 技术的无人机和自主移动机器人的无线充电发射器方面的最新...
我们知道，GaN在充电器等应用上，主要是通过GaN材料的特性，使得使用GaN材料的功率开关器件在开关频率、开关损耗、导通损耗等相比硅MOSFET有明显优...
本文介绍了影响 Tell-i 开发的非侵入式非接触式电流传感器测量的三种不同设计。该转换器是具有 120VDC 输入的 6.7MHz 两相 DC/DC ...
除了显着提高各种拓扑和功率级别的商用 DC/DC 转换器的效率外，基于 GaN 的 FET 还表现出对伽马辐射和单事件效应 (SEE) 的非凡弹性。所有...
数据中心钛基准性能优于基于GaN的3kW AC/DC PSU
数据中心中数量庞大且不断增加的服务器，每个都配备中央处理单元 （CPU）、图形处理单元 （GPU） 和能够存储大量数据的内存，因此需要增加功率。为了支持...
作者研究了四个商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之间的宽温度范围内的性能。据作者介绍，正如原始文章中所报道的，所有测试的器件都可以在低温...
欧盟大约有 80 亿台电动机在使用，消耗了欧盟生产的近 50% 的电力。1由于提高效率和减少碳足迹是政府和行业的主要目标，因此存在多项举措来降低这些电机...
GaN中游我们可以将其分为器件设 计、晶圆制造、封装测试三个部分。 作为化合物半导体的一类，与SiC类似，全球产能普遍集中在IDM厂商上，不过相比于Si...
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在短短几年间，GaN材料就与“快充”这个词紧密关联了起来。在快充需求下，GaN已经几乎在手机、笔记本等设备的充电器上实现普...
如本系列上一篇文章所述，6GHz 以下 5G 基站的功率需求正在推动从 LDMOS 放大器转向基于 GaN 的解决方案。高功率密度、效率和更广泛的频率支...
很容易忘记 GaN 仍然是一项相对年轻的技术。我们仍处于开发的前几代，具有很大的改进和改进潜力。本文着眼于即将出现的一些 GaN 创新，并预测它们在未来...
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