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华硕ROG Thor III PSU:1600W额定功率,配备磁性OLED显示屏
华硕推出了全新的旗舰级PC电源系列——ROG Thor III PSU系列,该系列包括1000W、1200W和1600W三种不同容量的型号。这些电源均采...
近日,GaN行业迎来了一项重要突破,一家名为远山半导体的企业宣布成功研发出新一代高压氮化镓功率器件,其电压等级高达3300V。这一消息于10月18日由“...
方正微电子:2025年车规SiC MOS年产能将达16.8万片
10月16日,方正微电子宣布,作为第三代半导体领域的IDM(集成设备制造)企业,公司现拥有两个生产基地(fab)。其中,Fab1已实现每月9000片6英...
近日,日本功率器件大厂罗姆半导体(ROHM)宣布了一项重要决策,将在GaN功率半导体领域加强与台积电的合作。据悉,罗姆将全面委托台积电代工生产GaN功率...
碳化硅 (SiC) 与氮化镓 (GaN)应用 | 氮化硼高导热绝缘片
SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺,WBG设备显示出以下优点:1.宽带隙半导体氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)在带隙和...
三菱电机发布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM
三菱电机集团近日宣布,开始为5G massive MIMO*1(mMIMO)基站提供新型16W平均功率氮化镓(GaN)功率放大器模块(PAM)的样品。P...
今日看点丨龙芯中科下一代八核3B6600 CPU明年流片;英飞凌推出全球首创12英寸GaN晶圆技术
1. 英飞凌推出全球首创12 英寸GaN 晶圆技术 英飞凌日前表示,公司已能够在12英寸(300mm)晶圆上生产GaN芯片,该技术为世界首创,希望满...
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术, 推动行业变革
2024年9月11日讯,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)今天宣布,已成功开发出全球首项300 mm氮化镓(GaN...
日本半导体材料巨头信越化学近日宣布了一项重大技术突破,成功研发并制造出专用于氮化镓(GaN)外延生长的300毫米(即12英寸)晶圆,标志着公司在高性能半...
聚焦绿色能源四大细分市场,英飞凌SiC和GaN新品亮相PCIM展会
在PCIM Asia展上,英飞凌展示了广泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率电子产品组合,其中多款应用于可再生能源、电动交通、智能家居...
8月28日至30日,全球领先的半导体解决方案提供商英飞凌,在深圳盛大亮相“2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM Asia)”,以“数...
电子发烧友网报道(文/黄山明)氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)作为新一代的半导体材料,因其禁带宽度大、临界击穿电场高、饱和电子漂移速度高等特...
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