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如何获得高质量的晶面作为激光器震荡用的腔面

将InGaN基激光器直接生长在硅衬底材料上，为GaN基光电子器件与硅基光电子器件的有机集成提供了可能。另一方面，自1996年问世以来，InGaN基激光器...

2021-10-08 标签：芯片激光GaN 1972 0

GaN占据手机快充市场半壁江山，SiC该如何加入其中？

氮化镓快充技术已非常成熟，快充市场被彻底激活，消费电子配件市场不断迭代更新。GaN是一种宽禁带半导体，具有高功率密度、高频率、低能耗、宽禁带等特点，被广...

2021-09-16 标签：SiCGaNGaN快充 3551 0

英飞凌和松下携手加速650V GaN功率器件的GaN技术开发

　对于许多设计来说，氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。与硅MOSFET相比，氮化镓HEMT具有出色的特定动态导通电阻和更小的电容，因此更适于做高速开关。

2021-09-08 标签：英飞凌传感器MOSFET 1813 0

哪些PI InnoSwitch产品采用了PowiGaN技术

采用 PowiGaN 技术的 InnoSwitch3 无散热片反激式开关 IC，功率可达 100 W，效率可达 95%。 PowiGaN 是 Power...

2021-09-07 标签：电容ICGaN 1884 0

GaN控制芯片在充电器领域的应用

GaN凭借其优越的性能，成为第三代半导体材料中的一员，在半导体领域中备受关注。

2021-09-01 标签：GaN 3614 0

灵活的EPC2218增强模式氮化镓功率晶体管

功率电子技术正朝向更高的功率密度、高快的开关速度、更小的器件体积这个趋势发展，而传统的硅基器件已经接近了物理性能的天花板，很难有大幅提升的空间，因此基于...

2021-08-17 标签：晶体管FETGaN 2818 0

GaN将在5G大规模MIMO部署中逐渐取代 LDMOS

相比其它半导体，GaN 是一种相对较新的技术，但它已然成为某些高射频、大功率应用的技术之选。虽然 LDMOS 技术目前仍在射频基站领域占有最大市场份额，...

2021-07-30 标签：GaN 2358 0

我们对GaN认识的几大误区

高功率密度、高效率和更宽的频率支持使基于 GaN 的解决方案成为适合许多射频应用的优良选择。嵌入式系统设计人员都知道，每一种材料都必须权衡利弊。在探讨最...

2021-07-28 标签：GaN 1734 0

恩智浦将GaN用于5G多芯片模块，以实现高能效移动网络

减少能耗是电信基础设施的一个主要目标，其中每一点效率都至关重要。在多芯片模组中使用GaN可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高到 52%，比公司上一...

2021-07-05 标签：恩智浦氮化镓GaN 1336 0

中国本土厂商在GaN晶圆厂建设的脚步不断提速

目前，在高功率与高频应用领域，氮化镓（GaN）越来越受到重视，无论是国际大厂，如Qorvo、英飞凌、NXP、Cree、日本住友等，还是中国本土产商，如三...

2021-06-23 标签：半导体GaN毫米波 3066 0

北京MEMS产线启动量产，提供高标准MEMS制造服务

据麦姆斯咨询报道，近日，北京赛微电子股份有限公司（简称：赛微电子）举行投资者关系活动，赛莱克斯北京首席科学家：陆原博士，公司董事、副总经理、董事会秘书：...

2021-06-21 标签：mems晶圆ISP 3447 0

探究氮化镓在射频电子中的应用

近年来，因为 5G 的应用，大家对射频氮化镓的关注度日益提升。 小编也认为，GaN 非常适合提供毫米波领域所需的高频率和宽带宽。它可以满足性能和小尺寸要...

2021-06-18 标签：RF氮化镓GaN 2583 0

第三代半导体产业将迎来发展热潮

  第三代半导体材料是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性和基础性产业，是国家新材料发展计划的重中之重。“十四五”期间，我国将在教育、科研、开发、融资...

2021-06-17 标签：半导体TSMCSiC 1.1万 0

复合年增长70%！GaN被快充带火，用于数据中心、电动汽车，未来市场无限可期

近几年，第三代半导体GaN快速发展，根据衬底材料的不同，GaN主要分为几类：Si基GaN，目前主要应用在功率期间中，也逐渐被部分射频器件采用；蓝宝石衬底...

2021-06-16 标签：GaN快充 5347 0