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外型小巧是该方案的一大特色,其内部电路设计更是十分精简,通过图片可见,该方案仅仅只用两块PCB板就实现了全部功能,让人眼前一亮。并且完全实现了核心技术的...
近日北京赛微电子股份有限公司发布了关于与青州市人民政府签署《合作协议》的公告。公告中显示赛微电子拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8...
近日,据知情人士透露,华为正在为公司的功率器件研发大肆招兵买马,其中包括IGBT、MOSFET、SiC、GaN等主流的功率器件,据说队伍目前已有数百人。...
好消息!2021年第三代半导体成长迅速回春 GaN功率器件年增高达90.6%
2021年因受到车用、工业与通讯需求助力,第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成长力道最为
GaN(氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
企业服务器、交换机、基站和存储硬件设计师都在寻求在其主板上提高功率密度和效率。随着主板上元件数量的增加
氮化镓(GaN)是第三代宽禁带半导体材料,禁带宽度为3.4eV,对应截至波长365nm,对可见光无响应,克服了硅基紫外传感器对可见光有强烈响应,且紫外灵...
近日Soitec全球战略负责人Thomas Piliszcczuk与业内少数媒体深入沟通了关于全球半导体市场发展趋势、Soitec在其中扮演的角色。以及...
IR-HiRel氮化镓(GaN)比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比,GaN-H...
不断增加的汽车电气化、5G通信、工业4.0以及基于GaN的主流设计正渐入佳境,都将推动2021年及未来功率半导体的需求增长。
Nexperia计划提高全球产量并增加研发支出 满足不断增长的功率半导体需求
通过新投资支持全球战略,满足不断增长的功率半导体需求并提升GaN工艺技术; 基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布将在2021年度大幅增加制造能力...
2月2日,北京赛微电子股份有限公司(以下简称“赛微电子”)在其公布的投资者关系活动记录表中介绍了北京MEMS产线最新进展和未来产能规划情况。
赛微电子:北京MEMS产线今年Q2正式生产 下半年预计实现50%的产能
集微网消息 近日,赛微电子在接受机构调研时,就北京MEMS产线产能、客户情况、与瑞典MEMS产线如何分工定位,以及GaN业务最新发展情况等问题进行解答。...
冲击1亿出货量!小米、苹果带火的GaN快充芯片产业链,哪些公司在快速崛起
1月第三周,市场上不断传来利好快充市场的消息:1月27日,苹果最新2021年第一季度财报显示,在 iPhone 12 强劲需求带动下,第1季iPhone...
这里将建成国际前三的氮化镓单晶衬底研发基地与高端产品生产基地
1月24日,苏州纳维科技有限公司(以下简称“纳维科技”)总部大楼奠基仪式在苏州纳米城举行。 项目占地面积超14000平方米,总建筑面积超34000平方米...
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