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为电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机应用开发功率密度超过 30 W/in3 的 140-240 W USB-PD 适配器 英国剑桥 - Cambrid...
2024-05-30 标签:GaN 515 0
青岛佳恩半导体有限公司与西安电子科技大学合作签约仪式圆满成功!
5月28日,青岛佳恩半导体有限公司与西安电子科技大学战略合作签约仪式在青岛隆重举行,参加此次签约仪式的嘉宾有城阳区科学与技术局领导、城阳区工业与信息化局...
广电计量联合举办半导体技术创新发展论坛,标准引领创“芯”发展
5月25日上午,半导体技术创新发展论坛在广电计量科技产业园顺利举办,来自全国各地100多名国内顶尖的高校专家、行业领袖,共同聚焦SiC、GaN等前沿技术...
复旦大学芯片院在高速低EMI功率集成电路设计领域取得重要进展
开关电源芯片被广泛应用于车载电子系统中,完成高效电能转换。随着智能驾驶技术的迅速发展,对开关电源芯片的电磁干扰(EMI)噪声的要求也日益严苛。
Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议,收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odysse...
Power Integrations收购GaN开发商Odyssey半导体资产
近日,知名的高压集成电路和高效功率变换方案提供商Power Integrations(PI)宣布了一项重大收购计划。该公司将于2024年7月完成对垂直氮...
Power Integrations宣布收购Odyssey Semiconductor的资产
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今天宣布达成协议,收购垂直氮化镓(GaN...
Mini-Circuits收购ADI CATV放大器业务,扩充产品线并提升行业地位
据官方公告,此次交易包含Analog Devices的75欧姆GaAs与GaN金属化合物放大器产品系列及其关联生产与测试设备。此外,原产品研发团队将全数...
颇有前景的半导体替代材料:SiC和GaN适用范围及优缺点介绍
自1954年以来,硅一直是先进技术发展的重要基石。人们普遍认为,硅作为电子元件基础结构核心材料的地位不可动摇。
华润微电子(重庆)有限公司GaN基HEMT器件及制作方法专利公布
此项发明主要涉及在衬底上构建外延叠层,并在此基础上制备栅极、漏极和源极;同时,在器件有源区周围形成屏蔽环层,并利用第一和第二金属互连层将衬底与源极连接起来。
年复合增长率达32.6%!车载SiC和工业GaN前景畅旺,产业链厂商进展如何
近日,第三代半导体领域的国际领先厂商意法半导体公布了最新的财报,ST SiC领域2023年收入达到14亿美元,计划在2024年实现15亿美元的收入,到2...
奔向太空!EPC Space推动耐辐射GaN功率器件全球布局
近日,EPC Space宣布与全球领先的电子元件和服务分销商——安富利(Avnet)签署了一项重要的分销协议。根据协议,安富利将成为EPC Space耐...
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