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目前市场上LED用到的衬底材料有蓝宝石、碳化硅SiC、硅Si、氧化锌 ZnO、 以及氮化镓GaN,中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石,而就全球範围来看...
随着许多大城市相继推出LTE和TD-LTE以及智能手机轻薄化要求不断提升,集成度和性能的重要性前所未有。因此,功放必须在这两方面进一步提高,以帮助移动设...
SOITEC与重庆四联光电就共同使用HVPE制造氮化镓(GaN)达成了协议。GaN晶体模板在LED的生产中能大大降低成本。
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说,相比LDMOS硅技术而言,GaN这一材料技术,大大提升了效率和功率密度。
硅上GaN LED 不必受应力的影响,一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率,制备出低位错密度的扁平型150mm外延...
瑞萨电子发表适用于CATV的GaN功率放大器模组MC-7802
先进半导体解决方案供应商瑞萨电子(Renesas Electronics)日前发表适用于1GHz有线电视(CATV)系统的氮化镓(GaN)功率放大器模组...
首款面向卫星通信应用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)
科锐公司日前在巴尔的摩举行的 2011 年 IEEE 国际微波研讨会上展出业界首款面向卫星通信应用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)
IMEC与其合作伙伴共同开发了在200毫米硅芯片上生长GaN/AlGaN的技术,IMEC介绍了该技术可实现大尺寸生产和兼容性好的优势
日本田村制作所与光波公司宣布,开发出了使用氧化镓基板的GaN类LED元件,预计可在2011年度末上市该元件及氧化镓(Ga2O3)基板
RFMD高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)RF3
日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices, Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦...
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