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纳芯微电子推出基于电容隔离技术的隔离式比较器NSI22C1x系列
纳芯微今日宣布推出基于电容隔离技术的隔离式比较器NSI22C1x系列,该系列包括用于过压和过温保护的隔离式单端比较器NSI22C11和用于过流保护的隔离...
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)今年1月,美国GaN初创公司NexGen Power Systems突然被曝人去楼空,工厂被关闭,据消息称该公司在2023...
2024-02-07 标签:GaN 7775 0
并购、扩产、合作——盘点2023年全球第三代半导体行业十大事件
在清洁能源、电动汽车的发展趋势下,近年来第三代半导体碳化硅和氮化镓受到了史无前例的关注,市场以及资本都在半导体行业整体下行的阶段加大投资力度,扩张规模不...
近日,美国一家GaN企业宣布破产倒闭,该企业还有一个晶圆厂,总投资超过10亿人民币,而且该企业此前还宣布他们的GaN器件即将上主驱,倒闭原因是什么?
首个在6英寸蓝宝石衬底上的1700V GaN HEMTs器件发布
近日,广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关,通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层...
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)氮化镓功率器件的大规模应用,是从2018年开始的。自手机快充功能在市场上迅速普及,经过数年的发展,氮化镓HEMT器件早已被...
据云塔科技消息,1月15日,中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划“战略性科技创新合作”重点专项“基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝异...
港科大陈敬教授团队成功研制一种融合GaN和SiC二者优点的实验晶体管
在硅占据主导地位数十年后,两种较新的材料——碳化硅和氮化镓——已经开始占领价值数十亿美元的市场。例如,碳化硅现在是电动汽车逆变器和充电器的首选半导体。如...
此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元(约合人民币24.27亿元)。此次收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材料)的内部技术。
2024-01-19 标签:瑞萨GaNTransphorm 305 0
电子发烧友网报道(文/黄山明)随着智能家居的发展,高效高性能的小体积电源越来越被市场青睐。想要将电源体积做得更小,但同时能够保证最好的性能,氮化镓(Ga...
半导体资料丨氧化锌、晶体硅/钙钛矿、表面化学蚀刻的 MOCVD GaN
蚀刻时间和过氧化氢浓度对ZnO玻璃基板的影响 本研究的目的是确定蚀刻ZnO薄膜的最佳技术。使用射频溅射设备在玻璃基板上沉积ZnO。为了蚀刻ZnO薄膜,使...
近年,IQE开始涉足Micro LED领域,IQE拥有丰富的MOCVD外延生长技术储备及规模化生产的能力,可满足制备微米级高亮Micro LED的需求。
来源:Semiconductor Today 澳大利亚Silverwater的BluGlass Ltd基于其专有的低温、低氢远程等离子体化学气相沉积(R...
Luminus Devices近日宣布,已与湖南三安半导体签署了一项合作协议。根据协议,Luminus将成为湖南三安在美洲地区的独家销售渠道,负责销售其...
瑞萨电子与氮化镓(GaN)器件领导者Transphorm宣布,双方已达成最终收购协议。根据协议,瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Trans...
GaN巨头NexGen Power Systems破产:垂直GaN市场面临挑战
NexGen认为,将垂直氮化镓逆变器驱动系统引入电动汽车市场可以帮助汽车制造商提高续航里程、减轻重量并提高系统可靠性。
伟诠电在氮化镓(GaN)快充市场迎来了新的机遇,因为日本集成设备制造商(IDM)瑞萨公司近期宣布成功收购美国GaN厂商Transphorm。这对伟诠电来...
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