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三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM,带宽高达1280GB/s,容量达36G
“随着AI行业对大容量HBM的需求日益增大,我们的新产品HBM3E 12H应运而生,”三星电子内存规划部门Yongcheol Bae解释道,“这个存储方...
美光指出,专为AI、超级计算机设计的HBM3E预计2024年初量产,有望于2024会计年度创造数亿美元的营收。Mehrotra对分析师表示,“2024年...
美光执行副总裁兼首席商务官萨达纳(Sumit Sadana)称,公司已实现HBM3E的市场首发和卓越性能,同时能耗具有显著优势,使公司在AI加速领域稳占...
SK 海力士副总裁 Kim Ki-Tae 对此表示,作为 HBM 行业翘楚,海力士洞察到市场对 HBM 存储的巨大需求,现已提前调整产量,以期更好地满足...
韩国存储芯片巨头SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度财报中,展现出强大的增长势头。数据显示,公司的主力产品DDR5 DRAM和HBM3的营收...
近日,据报道,三星电子正计划大规模扩大其HBM(高带宽内存)产能,以满足不断增长的市场需求。这一举措将进一步加剧与SK海力士的竞争。
该集群将生产HBM、PIM和其他尖端芯片。总产能估计为每月770万片晶圆。到2027年将建成3座生产厂和2座研发厂。
蔡笃恭指出,力成深谙硅通孔(TSV)工艺已长达十年之久,过去这一技术曾用于CIS,而现在也可以服务于HBM,特别是面对日益缩小的晶圆和更高精度的研磨要求...
三星电子报告2023年第四季度营业利润下降35%至2.8万亿韩元(约合21.3亿美元),而分析师平均预期为3.7万亿韩元;营业收入同比下降4.9%至...
中国科学家发表“大芯片”论文:国产256核RISC-V处理器
根据目前所探知的信息,Zhejiang是一个由16个小芯片构成,其中每片均包含16个RISC-V内核。研究人员指出,可以在单一独立组件内增加100片这样...
传三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备
数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星...
2024年1月3日,SK海力士宣布,公司将参加于1月9日至12日在美国拉斯维加斯举行的世界最大规模电子、IT展会“国际消费电子产品展览会(CES 202...
IDC提出,2024年全球范围内,销售额增长预期将使得半导体市场的年度增长率达至20%。相较于2023年下半年下跌20%的行业销售额,IDC对此年的整体...
Hanmi半导体与三星电子讨论HBM供应链,扩大客户群和市场份额
美国IT企业投资规模的加大使得HBM市场迅速成长。预计至2024年,HBM供应紧缺问题将愈发严重。对此,三星计划于2023年末和2024年初供应第四代H...
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