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尽管面对AI热潮及HBM需求的飙升,三星电子仍未与英伟达达成HBM芯片供应协议。分析指出,其坚持使用热压非导电薄膜(TC NCF)制程,可能导致产能问题。
据知情人士透露,全球知名的半导体企业美光科技正积极布局高带宽存储器(HBM)市场。该公司不仅在美国本土建设了先进的高带宽存储器测试生产线,还计划扩建位于...
7月12日,随着人工智能技术的日新月异,作为其核心技术支撑的高频宽存储器(HBM)正成为市场关注的焦点,供不应求的态势愈发明显。面对这一挑战,存储器行业...
SK海力士正全力开发HBM4E存储设备,意欲打造集计算、缓存和网络存储于一身的新型HBM产品,进而提升性能与数据传输速率。
在人工智能与大数据驱动的时代浪潮中,SK海力士正以前所未有的速度调整战略,全力拥抱高带宽内存(HBM)市场的蓬勃机遇。据韩国权威媒体最新报道,SK海力士...
三星澄清:未采用MR-MUF工艺,持续创新引领HBM芯片技术
近期,针对三星是否在其高带宽内存(HBM)芯片生产中采用了MR-MUF(Magnetic RAM based Multi-Level Unified M...
具体而言,现有的DRAM设计团队将负责HBM3E内存的进一步研发,而三月份新成立的HBM产能质量提升团队则专注于开发下一代HBM内存——HBM4。
TrendForce预测2025年DRAM与NAND闪存产业营收将创历史新高
根据市场调研公司TrendForce最新公布的一份深入详尽的研究报告,得益于对位元需求持续攀升,市场供求状况得到显著改善从而带动产品价格稳步上升,再加上...
在全球科技产业的快速发展浪潮中,存储器产业正迎来前所未有的繁荣期。据知名研究机构TrendForce集邦咨询最新发布的存储器产业分析报告显示,受多重利好...
据市调机构TrendForce估算,市场对HBM需求呈现高速增长,加上HBM利润高,故三星、SK海力士及美光国际三大原厂将增加资金投入与产能投片
据媒体报道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星电子预计将于2026年将其HBM4基底技术的生产外包给台积电,并计划采用12nm至6nm的先进制程技术。同...
随着当前AI应用,云机算成为各大科技巨头必争之地,带火了硬件行业,HBM因而水涨船高。
2025年DRAM展望:位元产出大增25%,HBM成新增长极但供应紧张
经历2024年前三个季度的库存消化和价格回升后,DRAM产业在第四季度的价格动能开始减弱。TrendForce集邦咨询的资深研究副总吴雅婷指出,由于部分...
SK海力士HBM4E内存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量产
值得注意的是,目前全球三大内存制造商都还未开始量产1c nm(第六代10+nm级)制程DRAM内存颗粒。早前报道,三星电子与SK海力士预计今年内实现1c...
人工智能(AI)与机器学习(ML)正以前所未有的速度蓬勃发展,驱动着各行各业的革新。随着模型复杂度与数据量的激增,实时处理海量数据的需求对底层硬件基础设...
近日,SK海力士与台积电宣布达成合作,计划量产下一代HBM(高带宽内存)。在这项合作中,台积电将主导基础芯片的前端工艺(FEOL)和后续布线工艺(BEO...
2024年,AI应用市场的持续升温推动了存储器需求的不断攀升,高性能HBM和大容量闪存产品备受市场青睐。然而,与此同时,全球经济发展形势仍不明朗,消费电...
依照测试结果,三星认为MUF并不适应于HBM,但对于3DS RDIMM却具有极高的适用性。目前,3DS RDIMM使用的是硅通孔(TSV)技术,主要服务...
美光科技适度调整了2024年的资本开支预估,加大对高带宽存储(HBM)半导体生产线的投入力度,以迎合人工智能(AI)领域日益旺盛的需求。
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