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韩国存储芯片巨头SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度财报中,展现出强大的增长势头。数据显示,公司的主力产品DDR5 DRAM和HBM3的营收...
英伟达宣布推出新一代GPU Blackwell,SK海力士已量产HBM3E
在英伟达GTC 2024大会上,英伟达CEO黄仁勋宣布推出新一代GPU Blackwell,第一款Blackwell芯片名为GB200,将于今年晚些时候上市。
业内评论指出,三星HBM之所以出现问题,主要原因在于负责英伟达GPU制造的台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准。由于SK海力士8层HBM3E的生产方...
今日看点丨欧盟正式对中国新能源车加征关税;三星电子改组,新设HBM芯片独立研发团队
1. 上汽仍为顶格受罚,欧盟正式对中国新能源车加征关税 7月4日报道称,欧盟委员会决定对来自中国的电动汽车进口征收临时反补贴税,其中,比亚迪为17....
三星开创性研发出12层堆叠HBM3E 12H高带宽存储芯片,存储容量高达36
三星在技术上采用了最新的热压力传导性膜(TC NCF)技术,成功维持了12层产品的高度与其前身8层HBM芯片保持一致,满足了现有的HBM封装要求。
对此,三星在声明中回应道,HBM为定制化内存产品,需依据客户需求进行优化流程。此外,他们正积极与客户紧密合作以提升产品性能。对于具体客户,三星并未作出评...
国芯科技(688262)。sh) 8月2日的投资者在互动平台(interface),公司目前正在与合作伙伴一起流片验证相关chiplet芯片高性能互联I...
在近期举行的2024年欧洲技术研讨会上,台积电透露了即将用于HBM4制造的基础芯片的部分新信息。据悉,未来HBM4将采用逻辑制程生产,而台积电计划利用其...
HBM3E的推出,标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破,将现有DRAM技术推向了新的高度。
高盛谈HBM四年十倍市场 受益于AI服务器持续增长 AI需求爆发引发HBM存储水涨船高,高盛认为HBM供不应求的情况未来几年或将持续,高盛预计市场规模将...
近日,三星电子宣布,已成功发布其首款12层堆叠的高带宽内存(HBM3E)产品——HBM3E 12H,再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。据了解,HB...
英伟达(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司订购大量HBM3E内存,为其AI领域的下一代产品做准备。也预示着内存市场将新一轮竞争。
预计2023年第4季度移动DRAM的合约价格将上涨13-18%,而eMMC和UFS NAND Flash的合约价格将上涨约10-15%。这种上涨趋势预计...
三星电子报告2023年第四季度营业利润下降35%至2.8万亿韩元(约合21.3亿美元),而分析师平均预期为3.7万亿韩元;营业收入同比下降4.9%至...
中国科学家发表“大芯片”论文:国产256核RISC-V处理器
根据目前所探知的信息,Zhejiang是一个由16个小芯片构成,其中每片均包含16个RISC-V内核。研究人员指出,可以在单一独立组件内增加100片这样...
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