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hbm

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hbm资讯

概伦电子宣布正式推出芯片级HBM静电防护分析平台ESDi

近日,概伦电子宣布正式推出芯片级HBM静电防护分析平台ESDi和功率器件及电源芯片设计分析验证工具PTM,并开始在国内外市场广泛推广。

2024-05-28 标签:功率半导体电源芯片静电防护 601 0

三星回应HBM芯片未通过英伟达测试

三星电子近期宣布,其与全球多家合作伙伴在高带宽内存(HBM)产品的供应测试上进展顺利。该公司表示,将继续致力于提升所有产品的质量和可靠性,确保为客户提供...

2024-05-28 标签:三星电子英伟达HBM 412 0

中国AI芯片和HBM市场的未来

 然而,全球HBM产能几乎被SK海力士、三星和美光垄断,其中SK海力士占据AI GPU市场80%份额,是Nvidia HBM3内存独家供应商,且已于今年...

2024-05-28 标签:NVIDIASK海力士HBM 950 0

三星HBM研发受挫,英伟达测试未达预期,如何满足AI应用GPU的市场需求?

据DigiTimes报道,三星HBM3E未能通过英伟达测试可能源于台积电审批环节出现问题。三星与台积电在晶圆代工领域长期竞争,但在英伟达主导的HBM市场...

2024-05-27 标签:台积电晶圆代工HBM 776 0

剑指HBM及AI芯片,普莱信重磅发布Loong系列TCB先进封装设备

剑指HBM及AI芯片,普莱信重磅发布Loong系列TCB先进封装设备

随着Chat GPT的火爆,整个AI硬件市场迎来了奇点,除了GPU之外,HBM存储也进入了爆发式的增长,根据TrendForce,2022年全球HBM容...

2024-05-27 标签:芯片封装AI 805 0

三星否认HBM芯片发热问题,与全球合作伙伴开展测试

但三星电子发表声明予以否认,坚称正与多家全球合作伙伴顺利开展HBM芯片测试工作,并持续与其他商业伙伴紧密合作,保证产品质量与可靠性。

2024-05-27 标签:芯片三星电子HBM 335 0

三星电子:HBM芯片供货测试正顺利开展

三星电子近日宣布,其高带宽内存(HBM)产品正在与全球多家合作伙伴进行顺利的供应测试。这一进展标志着三星在半导体领域的持续努力与投入取得了积极成果。

2024-05-27 标签:半导体三星电子HBM 628 0

三星电子否认HBM产品未达标,多家合作公司保证质量

针对媒体报道三星电子高带宽存储(HBM)产品未达英伟达品质标准的传闻,三星予以明确否认。该报道列举了散热及功耗等问题,并称三星的HBM产品尚未经过英伟达...

2024-05-27 标签:半导体三星电子英伟达 394 0

三星HBM芯片虽通过英伟达测试,仍存挑战

对此,三星在声明中回应道,HBM为定制化内存产品,需依据客户需求进行优化流程。此外,他们正积极与客户紧密合作以提升产品性能。对于具体客户,三星并未作出评...

2024-05-24 标签:英伟达HBM三星 1138 0

三星HBM芯片因发热和功耗问题影响测试,与英伟达合作暂时搁浅

这是三星首次公开承认未能通过英伟达测试的原因。三星在声明中表示,HBM是定制化存储产品,需“依据客户需求进行优化”,并强调正与客户紧密合作以提升产品性能...

2024-05-24 标签:英伟达HBM三星 500 0

三星HBM芯片遇阻英伟达测试

近日,三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片在英伟达测试中遭遇挫折。据知情人士透露,芯片因发热和功耗问题未能达标,影响到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。

2024-05-24 标签:芯片三星电子HBM 526 0

SK海力士HBM3E内存良率已达80%

早在今年3月份,韩国媒体DealSite报道中指出,全球HBM存储器的平均良率约为65%。据此来看,SK海力士在近期对HBM3E存储器的生产工艺进行了显著提升。

2024-05-23 标签:存储器SK海力士HBM 450 0

美光与客户签下2025年HBM订单,HBM内存预计扩增50%

为了满足HBM领域的旺盛需求,美光决定将本财年的资本支出预算由原计划的75~80亿美元调整为80亿美元(约合人民币579.2亿元)。

2024-05-22 标签:存储器美光HBM 677 0

HBM投资增加,美光2024年资本支出预测上调至80亿美元

美光科技适度调整了2024年的资本开支预估,加大对高带宽存储(HBM)半导体生产线的投入力度,以迎合人工智能(AI)领域日益旺盛的需求。

2024-05-22 标签:半导体美光HBM 544 0

机构:2024年底前HBM将占先进制程比例为35%

据市调机构TrendForce估算,市场对HBM需求呈现高速增长,加上HBM利润高,故三星、SK海力士及美光国际三大原厂将增加资金投入与产能投片

2024-05-22 标签:DRAM晶圆HBM 574 0

台积电准备生产HBM4基础芯片

在近日举行的2024年欧洲技术研讨会上,台积电透露了关于HBM4基础芯片制造的新进展。据悉,未来HBM4将采用逻辑制程进行生产,台积电计划使用其N12和...

2024-05-21 标签:台积电HBMHBM4 734 0

AI芯片需求猛增,CoWoS封装供不应求,HBM技术难度升级

行业观察者预测,英伟达即将推出的B系列产品,如GB200, B100, B200等,将对CoWoS封装产能产生巨大压力。据IT之家早前报道,台积电已计划...

2024-05-20 标签:CoWoSHBMAI芯片 622 0

SK海力士与台积电携手量产下一代HBM

近日,SK海力士与台积电宣布达成合作,计划量产下一代HBM(高带宽内存)。在这项合作中,台积电将主导基础芯片的前端工艺(FEOL)和后续布线工艺(BEO...

2024-05-20 标签:台积电SK海力士HBM 553 0

台积电将采用HBM4,提供更大带宽和更低延迟的AI存储方案

在近期举行的2024年欧洲技术研讨会上,台积电透露了即将用于HBM4制造的基础芯片的部分新信息。据悉,未来HBM4将采用逻辑制程生产,而台积电计划利用其...

2024-05-20 标签:芯片台积电HBM 1107 0

三星电子考虑采用1c nm DRAM裸片生产HBM4内存

早前在Memcon 2024行业会议上,三星电子代表曾表示,该公司计划在年底前实现对1c纳米制程的大规模生产;而关于HBM4,他们预见在明年会完成研发,...

2024-05-17 标签:三星电子纳米制程HBM 482 0

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