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SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基...
该报告显示,2023 年 HBM 在市场中的占比仅为 2%,但预计今年将增至 5%,明年则有望突破 10%;而在市场份额上,从去年的 8%上升至今年的 ...
台积电表示A16工艺不需NAEU,新一代CoWoS封装获重大突破
在封装技术的研发道路上,台积电从未停止过前进的脚步。而除了CoWoS封装技术的巨大进展,该公司还首次对外公布了其A16制程工艺。
HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座,兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议,首要任务便是提升HBM基础逻辑芯片性能。
SK海力士与台积电达成研发合作,推动HBM4和下一代封装技术发展
据协议内容,双方首先致力于提升 HBM 封装中的基础裸片(Base Die)性能。HBM 由多个 DRAM 裸片(Core Die)堆叠在基础裸片之上,...
TC-NCF是有凸块的传统多层DRAM间键合工艺,相比无凸块的混合键合技术更为成熟,然而由于凸块的存在,采用TC-NCF生产的同层数HBM内存厚度会相应增加。
自 HBM3E(第五代 HBM 产品)起,SK海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产;然而,从 HMB4(第六代 HBM 产品)开始,该公司将...
庆桂显此行主要推广三星的HBM内存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出现失误,三星已被竞争对手SK海力士超越;位于第三位的美光近年来也...
HBM,即高带宽内存,以其独特的“楼房设计”概念,打破了传统DDR内存的设计局限,凭借出色的性能在市场中赢得了广泛认可。
随着人工智能在智能手机、笔记本等移动设备上的广泛应用,端侧AI已经成为行业热议的焦点。为了支持端侧运行模型的高效运行,移动DRAM的性能要求也在不断提升。
了解到,2.5D封装技术能够有效地将CPU、GPU、I/O接口、HBM芯片等多种芯片以横向方式置于中间层之上。如台积电所采取的CoWoS技术以及三星的I...
押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存储芯片大厂旗舰新品汇总
电子发烧友原创 章鹰 4月1日,韩国股市开盘后,存储大厂SK海力士一度涨幅超过4%,市值已超过 1,000 亿美元,受益于投资者持续买入AI相关股票...
在 AI 存储芯片方面,庆桂显示三星组建了以DRAM产品与技术掌门人Hwang Sang-joon为首的HBM内存产能与质素提升团队,这是今年成立的第二...
汉高:碳化硅、HBM存储等高成长,粘合剂技术如何助力先进封装
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)汉高粘合剂主要用于半导体封装、模块和消费电子设备的组装。只有集成电路设计和晶圆制造方面的材料,汉高暂未涉及。汉高在德国总部...
值得关注的是,AI 和车用领域表现亮眼:英伟达在 AI 逻辑芯片领域以 490 亿美元收入,同比增幅高达 134%,且是 2019 年的四倍之多;HBM...
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