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HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座,兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议,首要任务便是提升HBM基础逻辑芯片性能。
在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次站在了行业创新的前沿。据最新消息,该公司计划于2026年在其高性能内存(High Bandwidth Memo...
在半导体产业日新月异的今天,三星电子的子公司Semes正以其独特的战略眼光,在热压键合(TCB)设备领域开辟新径,特别是在高带宽存储器(HBM)市场的布...
在9月25日(当地时间)于美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的一场半导体行业盛会上,SK海力士发布的一项关于其高带宽内存(HBM)的惊人数据——“TA...
9月4日,半导体行业传来重要动态,SK海力士社长金柱善(Kim Ju Seon)在备受瞩目的SEMICON 大师论坛上发表演讲,分享了公司在高带宽内存(...
Sangjun Hwang还表示:“正在准备开发出最适合高温热特性的非导电粘合膜(ncf)组装技术和混合粘合剂(hcb)技术,并适用于hbm4产品。”
在以台积电与三星代工为首的诸多企业中,长期以来,保持硅晶圆高效产出的良品率一直是个难题。然而,这个难关如今已经蔓延至HBM行业。
英伟达对三星HBM3E进行测试,海力士仍稳坐HBM市场头把交椅
现如今,SK海力士为英伟达AI半导体提供主要HBM产品,同时自去年起,美光公司也加入了该供应阵营。据悉,相比其他竞争对手,三星电子在HBM授权上大约晚了...
行业内人士预测,华邦对DDR3报价的大幅调整有利于其基本面的表现,有实力的供应商如钰创和晶豪科或许也能顺应此轮涨势实现盈利增长。他们认为,人工智能已成为...
美光预测AI需求将大幅增长,计划2025年投产EUV DRAM
随着人工智能技术日益普及,从云端服务器拓展至消费级设备,对高级内存的需求持续攀升。鉴于此趋势,美光科技已将其高带宽内存(HBM)的全部产能规划至2025...
Rambus通过9.6 Gbps HBM3内存控制器IP大幅提升AI性能
作为业界领先的芯片和 IP 核供应商,致力于使数据传输更快更安全,Rambus Inc.(纳斯达克股票代码:RMBS)今日宣布 Rambus HBM3 ...
据TrendForce集邦咨询最新发布的HBM市场报告,随着AI芯片技术的不断迭代升级,单一芯片所能搭载的HBM(高带宽内存)容量正显著增长。作为当前H...
三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
韩国存储芯片巨头SK海力士近日发布了其截至2024年6月30日的2024财年第二季度财务报告,这份报告展现出了公司在复杂市场环境下的强劲韧性与增长潜力。...
英伟达拟向三星采购高带宽存储芯片,追赶AI芯片巨头SK海力士
对此,英伟达联合创始人兼首席执行官黄仁勋在加利福尼亚州圣何塞举办的大会上,坦言:“HBM结构相当精密且附加价值极高,我司已在此领域做出大量投资。”他进一...
近日,据报道,三星电子正计划大规模扩大其HBM(高带宽内存)产能,以满足不断增长的市场需求。这一举措将进一步加剧与SK海力士的竞争。
KB证券最新研究报告指出,SK海力士在英伟达(Nvidia)人工智能(AI)领域的强劲需求下,有望成为受益最大的企业之一。该机构不仅设定了28万韩元的目...
三星必须采取一些措施来提高其HBM产量......采用MUF技术对三星来说有点不得已而为之,因为它最终遵循了SK海力士首次使用的技术。
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