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标签 > hbm4

hbm4

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hbm4资讯

美光发布HBM4与HBM4E项目新进展

近日,据报道,全球知名半导体公司美光科技发布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4,第四代高带宽内存)和HBM4E项目的最新研发进...

2024-12-23 标签:接口内存美光 51 0

400层闪存、HBM4、122TB SSD等,成为2025年存储市场牵引力

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  电子发烧友网报道(文/黄晶晶)在人工智能、数据中心、新能源汽车、智能终端等应用的带动下,存储新技术新产品加速到来。例如数据中心市场,不仅是高带宽HB...

2024-12-16 标签:闪存SSDHBM4 1675 0

特斯拉欲将HBM4用于自动驾驶,内存大厂加速HBM4进程

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)近日据韩媒报道,特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采购意向,并要求这两家公司提供通用HBM4芯片样品。特斯拉此次欲...

2024-11-28 标签:自动驾驶HBM4 2006 0

特斯拉或向SK海力士、三星采购HBM4芯片

近日,SK海力士和三星电子正在为特斯拉公司开发第六代高带宽内存(HBM4)芯片样品。据悉,特斯拉计划在测试这两家公司提供的样品后,选择其中一家作为其HB...

2024-11-21 标签:芯片特斯拉SK海力士 618 0

HBM4进一步打破内存墙,Rambus控制器IP先行

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电子发烧友网报道(文/黄晶晶)2022年11月发布的GPT-3使用1750亿个参数,而今年5月发布的最新版本GPT-4o则使用超过1.5万亿个参数。在过...

2024-11-19 标签:HBM4 1054 0

Rambus推出业界首款HBM4控制器IP

Rambus Inc.,业界知名的芯片和半导体IP供应商,近日宣布了一项重大突破:推出业界首款HBM4(High Bandwidth Memory 4,...

2024-11-14 标签:IP内存Rambus 466 0

Rambus宣布推出业界首款HBM4控制器IP,加速下一代AI工作负载

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基于一百多项HBM成功设计案例,确保芯片一次流片成功 在低延迟下提供超过HBM3两倍的吞吐量,满足生成式AI和高性能计算(HPC)工作负载的需求 扩展了...

2024-11-13 标签:RambusHBM4 383 0

英伟达加速Rubin平台AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存储器

日,英伟达(NVIDIA)的主要高带宽存储器(HBM)供应商南韩SK集团会长崔泰源透露,英伟达执行长黄仁勋已要求SK海力士提前六个月交付用于英伟达下一代...

2024-11-05 标签:存储英伟达HBM 408 0

HBM4需求激增,英伟达与SK海力士携手加速高带宽内存技术革新

随着生成式AI技术的迅猛发展和大模型参数量的急剧增加,对高带宽、高容量存储的需求日益迫切,这直接推动了高带宽内存(HBM)市场的快速增长,并对HBM的性...

2024-11-05 标签:内存英伟达SK海力士 352 0

英伟达向SK海力士提出提前供应HBM4芯片要求

近日,韩国SK集团会长透露了一项重要信息,即英伟达公司的首席执行官黄仁勋已向SK海力士提出了一项特殊的要求。黄仁勋希望SK海力士能够提前六个月供应其下一...

2024-11-05 标签:芯片计算机英伟达 328 0

英伟达加速推进HBM4需求,SK海力士等存储巨头竞争加剧

韩国大型财团SK集团的董事长崔泰源在周一的采访中透露,英伟达的首席执行官黄仁勋已向SK集团旗下的存储芯片制造巨头SK海力士提出要求,希望其能提前六个月推...

2024-11-04 标签:存储英伟达SK海力士 561 0

利用尖端HBM4技术加速人工智能发展

人工智能(AI)与机器学习(ML)正以前所未有的速度蓬勃发展,驱动着各行各业的革新。随着模型复杂度与数据量的激增,实时处理海量数据的需求对底层硬件基础设...

2024-10-11 标签:人工智能机器学习HBM 471 0

三星电子或2026年将HBM4基底技术生产外包给台积电

据媒体报道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星电子预计将于2026年将其HBM4基底技术的生产外包给台积电,并计划采用12nm至6nm的先进制程技术。同...

2024-10-10 标签:三星电子台积电HBM 546 0

HBM4到来前夕,HBM热出现两极分化

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)高带宽存储器HBM由于生成式AI的到来而异军突起,成为AI训练不可或缺的存储产品。三大HBM厂商SK海力士、三星电子、美光...

2024-09-23 标签:HBMHBM4 2591 0

GPU集成12颗HBM4,台积电CoWoS-L、CoW-SoW技术演进

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)日前消息,台积电计划于2027年量产CoW-SoW(晶圆上系统)封装技术,该技术是将InFO-SoW(集成扇出晶圆上系统)...

2024-09-13 标签:台积电gpuCoWoS 3731 0

三星与台积电合作开发无缓冲HBM4 AI芯片

在科技日新月异的今天,三星电子与台积电两大半导体巨头的强强联合再次引发业界瞩目。据最新报道,双方正携手并进,共同开发下一代高带宽存储器(HBM4)人工智...

2024-09-09 标签:三星电子台积电AI芯片 669 0

三星携手台积电,共同研发无缓冲HBM4 AI芯片技术

据最新报道,三星电子与台积电携手共谋AI芯片的未来,双方正紧密合作开发下一代高带宽存储器(HBM4)芯片,旨在巩固并加强各自在快速增长的人工智能芯片市场...

2024-09-06 标签:三星电子台积电存储器 1513 0

三星电子加速推进HBM4研发,预计明年底量产

三星电子在半导体技术的创新之路上再迈坚实一步,据业界消息透露,该公司计划于今年年底正式启动第6代高带宽存储器(HBM4)的流片工作。这一举措标志着三星电...

2024-08-22 标签:半导体三星电子存储器 652 0

SK海力士携手台积电,N5工艺打造高性能HBM4内存

在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这一举措不仅标志着SK海力士...

2024-07-18 标签:半导体台积电内存 643 0

SK海力士探索无焊剂键合技术,引领HBM4创新生产

在半导体存储技术的快速发展浪潮中,SK海力士,作为全球领先的内存芯片制造商,正积极探索前沿技术,以推动高带宽内存(HBM)的进一步演进。据最新业界消息,...

2024-07-17 标签:半导体存储技术SK海力士 982 0

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