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GPU集成12颗HBM4,台积电CoWoS-L、CoW-SoW技术演进
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)日前消息,台积电计划于2027年量产CoW-SoW(晶圆上系统)封装技术,该技术是将InFO-SoW(集成扇出晶圆上系统)...
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)高带宽存储器HBM由于生成式AI的到来而异军突起,成为AI训练不可或缺的存储产品。三大HBM厂商SK海力士、三星电子、美光...
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)近日据韩媒报道,特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采购意向,并要求这两家公司提供通用HBM4芯片样品。特斯拉此次欲...
据最新报道,三星电子与台积电携手共谋AI芯片的未来,双方正紧密合作开发下一代高带宽存储器(HBM4)芯片,旨在巩固并加强各自在快速增长的人工智能芯片市场...
据此,现有的DRAM设计团队将主要负责HBM3E内存的开发和优化,而今年三月份新设立的HBM产能与质量提升团队则专攻下一代技术——HBM4。
400层闪存、HBM4、122TB SSD等,成为2025年存储市场牵引力
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)在人工智能、数据中心、新能源汽车、智能终端等应用的带动下,存储新技术新产品加速到来。例如数据中心市场,不仅是高带宽HB...
在近期举行的2024年欧洲技术研讨会上,台积电透露了即将用于HBM4制造的基础芯片的部分新信息。据悉,未来HBM4将采用逻辑制程生产,而台积电计划利用其...
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)2022年11月发布的GPT-3使用1750亿个参数,而今年5月发布的最新版本GPT-4o则使用超过1.5万亿个参数。在过...
2024-11-19 标签:HBM4 1034 0
在半导体存储技术的快速发展浪潮中,SK海力士,作为全球领先的内存芯片制造商,正积极探索前沿技术,以推动高带宽内存(HBM)的进一步演进。据最新业界消息,...
预计英伟达将于Q1完成HBM3e验证 2026年HBM4将推出
由于hbm芯片的验证过程复杂,预计需要2个季度左右的时间,因此业界预测,最快将于2023年末得到部分企业对hbm3e的验证结果。但是,验证工作可能会在2...
在半导体制造技术的持续演进中,韩国后端设备制造商ASMPT与全球知名的内存解决方案提供商美光公司近日宣布了一项重要的合作。据悉,ASMPT已向美光提供了...
三星电子HBM存储技术进展:12层HBM3E芯片,2TB/s带宽HBM4即将上市
据业内透露,三星在HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司,有能力在2024年9月实现对英伟达的替代,这意味着它将成为英伟达12层HBM3E的垄断供应商。...
SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从...
HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座,兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议,首要任务便是提升HBM基础逻辑芯片性能。
瑞银集团最新报告指出,SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士已在...
英伟达、台积电与SK海力士携手,2026年量产HBM4内存,能效显著提升
科技行业持续向AI时代迈进的浪潮中,英伟达、台积电与SK海力士三大巨头宣布了一项重大合作,旨在通过组建“三角联盟”共同推进下一代高带宽内存(HBM)技术...
Sangjun Hwang还表示:“正在准备开发出最适合高温热特性的非导电粘合膜(ncf)组装技术和混合粘合剂(hcb)技术,并适用于hbm4产品。”
在科技浪潮的涌动下,台积电再次展现其行业领导者的地位。据台媒《经济日报》6月24日报道,继独家代工英伟达、AMD等科技巨头AI芯片之后,台积电近日携手旗...
在近日举行的2024年欧洲技术研讨会上,台积电透露了关于HBM4基础芯片制造的新进展。据悉,未来HBM4将采用逻辑制程进行生产,台积电计划使用其N12和...
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