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标签 > hbm4

hbm4

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hbm4资讯

ASMPT与美光携手开发下一代HBM4键合设备

在半导体制造技术的持续演进中,韩国后端设备制造商ASMPT与全球知名的内存解决方案提供商美光公司近日宣布了一项重要的合作。据悉,ASMPT已向美光提供了...

2024-07-01 标签:半导体美光键合 853 0

台积电携手创意电子,斩获SK海力士HBM4芯片大单

在全球半导体市场的激烈竞争中,台积电再次凭借其卓越的技术实力和创新能力,携手旗下子公司创意电子,成功斩获了SK海力士在下一代HBM4(High Band...

2024-06-25 标签:半导体台积电SK海力士 597 0

台积电携手创意电子斩获HBM4关键界面芯片大单

在科技浪潮的涌动下,台积电再次展现其行业领导者的地位。据台媒《经济日报》6月24日报道,继独家代工英伟达、AMD等科技巨头AI芯片之后,台积电近日携手旗...

2024-06-24 标签:芯片台积电AI 731 0

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞银集团最新报告指出,SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士已在...

2024-05-30 标签:芯片SK海力士HBM 786 0

台积电准备生产HBM4基础芯片

在近日举行的2024年欧洲技术研讨会上,台积电透露了关于HBM4基础芯片制造的新进展。据悉,未来HBM4将采用逻辑制程进行生产,台积电计划使用其N12和...

2024-05-21 标签:台积电HBMHBM4 716 0

台积电将采用HBM4,提供更大带宽和更低延迟的AI存储方案

在近期举行的2024年欧洲技术研讨会上,台积电透露了即将用于HBM4制造的基础芯片的部分新信息。据悉,未来HBM4将采用逻辑制程生产,而台积电计划利用其...

2024-05-20 标签:芯片台积电HBM 1084 0

三星电子考虑采用1c nm DRAM裸片生产HBM4内存

早前在Memcon 2024行业会议上,三星电子代表曾表示,该公司计划在年底前实现对1c纳米制程的大规模生产;而关于HBM4,他们预见在明年会完成研发,...

2024-05-17 标签:三星电子纳米制程HBM 453 0

台积电在欧洲技术研讨会上展示HBM4的12FFC+和N5制造工艺

目前,我们正在携手众多HBM存储伙伴(如美光、三星、SK海力士等)共同推进HBM4在先进制程中的全面集成。12FFC+基础Dies在满足HBM性能需求的...

2024-05-17 标签:台积电先进制程HBM 542 0

SK海力士HBM4E存储器提前一年量产

SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从...

2024-05-15 标签:存储器SK海力士HBM 815 0

SK海力士提前一年量产HBM4E第七代高带宽存储器

据业内人士预计,HBM4E的堆叠层数将增加到16~20层,而SK海力士原本计划在2026年量产16层的HBM4产品。此外,该公司还暗示,有可能从HBM4...

2024-05-15 标签:存储器SK海力士HBM 418 0

SK海力士、三星电子:HBM内存供应充足,明年HBM4将量产

这类内存的售价远高于主流 DRAM,而由于制作 TSV 工艺的良率问题,对晶圆的消费量更是达到普通内存的 2-3 倍。因此,内存厂商需提高 HBM 产量...

2024-05-14 标签:DRAM晶圆SK海力士 539 0

SK海力士HBM4E内存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量产

值得注意的是,目前全球三大内存制造商都还未开始量产1c nm(第六代10+nm级)制程DRAM内存颗粒。早前报道,三星电子与SK海力士预计今年内实现1c...

2024-05-14 标签:DRAMSK海力士HBM 512 0

SK海力士加速HBM4E内存研发,预计2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 年推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 H...

2024-05-14 标签:DRAMSK海力士HBM 442 0

三星电子组建HBM4团队,旨在缩短开发周期,提升竞争力

据此,现有的DRAM设计团队将主要负责HBM3E内存的开发和优化,而今年三月份新设立的HBM产能与质量提升团队则专攻下一代技术——HBM4。

2024-05-11 标签:DRAM三星电子HBM 1481 0

三星电子组建HBM4独立团队,力争夺回HBM市场领导地位

具体而言,现有的DRAM设计团队将负责HBM3E内存的进一步研发,而三月份新成立的HBM产能质量提升团队则专注于开发下一代HBM内存——HBM4。

2024-05-10 标签:DRAMSK海力士HBM 568 0

英伟达R系列AI芯片预计2025年量产,内含8颗HBM4存储芯片,关注耗能问题

据悉,R100将运用台积电的N3制程技术及CoWoS-L封装技术,与之前推出的B100保持一致。同时,R100有望搭载8颗HBM4存储芯片,以满足高性能...

2024-05-08 标签:台积电封装技术存储芯片 620 0

SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年

SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基...

2024-05-06 标签:DRAMSK海力士HBM 457 0

SK海力士将采用台积电7nm制程生产HBM4内存基片

HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座,兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议,首要任务便是提升HBM基础逻辑芯片性能。

2024-04-23 标签:DRAMSK海力士HBM 796 0

SK海力士和台积电签署谅解备忘录 目标2026年投产HBM4

4 月 19 日消息,SK 海力士宣布和台积电签署谅解备忘录(MOU),推进 HBM4 研发和下一代封装技术,目标在 2026 年投产 HBM4。 根据...

2024-04-20 标签:台积电SK海力士CoWoS 43 0

SK海力士与台积电达成研发合作,推动HBM4和下一代封装技术发展 

据协议内容,双方首先致力于提升 HBM 封装中的基础裸片(Base Die)性能。HBM 由多个 DRAM 裸片(Core Die)堆叠在基础裸片之上,...

2024-04-19 标签:DRAM封装gpu 595 0

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