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hbm4

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hbm4资讯

三星与台积电合作开发无缓冲HBM4 AI芯片

在科技日新月异的今天,三星电子与台积电两大半导体巨头的强强联合再次引发业界瞩目。据最新报道,双方正携手并进,共同开发下一代高带宽存储器(HBM4)人工智...

2024-09-09 标签:三星电子台积电AI芯片 660 0

三星电子加速推进HBM4研发,预计明年底量产

三星电子在半导体技术的创新之路上再迈坚实一步,据业界消息透露,该公司计划于今年年底正式启动第6代高带宽存储器(HBM4)的流片工作。这一举措标志着三星电...

2024-08-22 标签:半导体三星电子存储器 646 0

SK海力士携手台积电,N5工艺打造高性能HBM4内存

在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这一举措不仅标志着SK海力士...

2024-07-18 标签:半导体台积电内存 634 0

英伟达R系列AI芯片预计2025年量产,内含8颗HBM4存储芯片,关注耗能问题

据悉,R100将运用台积电的N3制程技术及CoWoS-L封装技术,与之前推出的B100保持一致。同时,R100有望搭载8颗HBM4存储芯片,以满足高性能...

2024-05-08 标签:台积电封装技术存储芯片 620 0

SK海力士与台积电共同研发HBM4,预计2026年投产

自 HBM3E(第五代 HBM 产品)起,SK海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产;然而,从 HMB4(第六代 HBM 产品)开始,该公司将...

2024-04-19 标签:台积电SK海力士HBM 614 0

特斯拉或向SK海力士、三星采购HBM4芯片

近日,SK海力士和三星电子正在为特斯拉公司开发第六代高带宽内存(HBM4)芯片样品。据悉,特斯拉计划在测试这两家公司提供的样品后,选择其中一家作为其HB...

2024-11-21 标签:芯片特斯拉SK海力士 606 0

三星计划应用TC-NCF工艺生产16层HBM4内存

TC-NCF是有凸块的传统多层DRAM间键合工艺,相比无凸块的混合键合技术更为成熟,然而由于凸块的存在,采用TC-NCF生产的同层数HBM内存厚度会相应增加。

2024-04-19 标签:DRAM三星半导体HBM 601 0

台积电携手创意电子,斩获SK海力士HBM4芯片大单

在全球半导体市场的激烈竞争中,台积电再次凭借其卓越的技术实力和创新能力,携手旗下子公司创意电子,成功斩获了SK海力士在下一代HBM4(High Band...

2024-06-25 标签:半导体台积电SK海力士 597 0

SK海力士与台积电达成研发合作,推动HBM4和下一代封装技术发展 

据协议内容,双方首先致力于提升 HBM 封装中的基础裸片(Base Die)性能。HBM 由多个 DRAM 裸片(Core Die)堆叠在基础裸片之上,...

2024-04-19 标签:DRAM封装gpu 596 0

三星电子组建HBM4独立团队,力争夺回HBM市场领导地位

具体而言,现有的DRAM设计团队将负责HBM3E内存的进一步研发,而三月份新成立的HBM产能质量提升团队则专注于开发下一代HBM内存——HBM4。

2024-05-10 标签:DRAMSK海力士HBM 568 0

英伟达加速推进HBM4需求,SK海力士等存储巨头竞争加剧

韩国大型财团SK集团的董事长崔泰源在周一的采访中透露,英伟达的首席执行官黄仁勋已向SK集团旗下的存储芯片制造巨头SK海力士提出要求,希望其能提前六个月推...

2024-11-04 标签:存储英伟达SK海力士 550 0

台积电在欧洲技术研讨会上展示HBM4的12FFC+和N5制造工艺

目前,我们正在携手众多HBM存储伙伴(如美光、三星、SK海力士等)共同推进HBM4在先进制程中的全面集成。12FFC+基础Dies在满足HBM性能需求的...

2024-05-17 标签:台积电先进制程HBM 542 0

三星电子或2026年将HBM4基底技术生产外包给台积电

据媒体报道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星电子预计将于2026年将其HBM4基底技术的生产外包给台积电,并计划采用12nm至6nm的先进制程技术。同...

2024-10-10 标签:三星电子台积电HBM 541 0

SK海力士联手台积电推出HBM4,引领下一代DRAM创新

SK海力士表示,凭借其在AI应用领域存储器发展的领先地位,以及与台积电在全球顶尖逻辑代工领域的深厚合作基础,该公司有信心持续引领HBM技术创新。通过整合...

2024-04-19 标签:存储器晶圆代工SK海力士 540 0

SK海力士、三星电子:HBM内存供应充足,明年HBM4将量产

这类内存的售价远高于主流 DRAM,而由于制作 TSV 工艺的良率问题,对晶圆的消费量更是达到普通内存的 2-3 倍。因此,内存厂商需提高 HBM 产量...

2024-05-14 标签:DRAM晶圆SK海力士 539 0

SK海力士HBM4E内存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量产

值得注意的是,目前全球三大内存制造商都还未开始量产1c nm(第六代10+nm级)制程DRAM内存颗粒。早前报道,三星电子与SK海力士预计今年内实现1c...

2024-05-14 标签:DRAMSK海力士HBM 513 0

HBM4为何备受存储行业关注?

HBM4为何备受存储行业关注?

当前,生成式人工智能已经成为推动DRAM市场增长的关键因素,与处理器一起处理数据的HBM的需求也必将增长。未来,随着AI技术不断演进,HBM将成为数据中...

2023-12-02 标签:DRAMgpu内存 496 0

利用尖端HBM4技术加速人工智能发展

人工智能(AI)与机器学习(ML)正以前所未有的速度蓬勃发展,驱动着各行各业的革新。随着模型复杂度与数据量的激增,实时处理海量数据的需求对底层硬件基础设...

2024-10-11 标签:人工智能机器学习HBM 467 0

SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年

SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基...

2024-05-06 标签:DRAMSK海力士HBM 461 0

三星电子考虑采用1c nm DRAM裸片生产HBM4内存

早前在Memcon 2024行业会议上,三星电子代表曾表示,该公司计划在年底前实现对1c纳米制程的大规模生产;而关于HBM4,他们预见在明年会完成研发,...

2024-05-17 标签:三星电子纳米制程HBM 453 0

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