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在科技日新月异的今天,三星电子与台积电两大半导体巨头的强强联合再次引发业界瞩目。据最新报道,双方正携手并进,共同开发下一代高带宽存储器(HBM4)人工智...
三星电子在半导体技术的创新之路上再迈坚实一步,据业界消息透露,该公司计划于今年年底正式启动第6代高带宽存储器(HBM4)的流片工作。这一举措标志着三星电...
在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这一举措不仅标志着SK海力士...
英伟达R系列AI芯片预计2025年量产,内含8颗HBM4存储芯片,关注耗能问题
据悉,R100将运用台积电的N3制程技术及CoWoS-L封装技术,与之前推出的B100保持一致。同时,R100有望搭载8颗HBM4存储芯片,以满足高性能...
自 HBM3E(第五代 HBM 产品)起,SK海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产;然而,从 HMB4(第六代 HBM 产品)开始,该公司将...
近日,SK海力士和三星电子正在为特斯拉公司开发第六代高带宽内存(HBM4)芯片样品。据悉,特斯拉计划在测试这两家公司提供的样品后,选择其中一家作为其HB...
TC-NCF是有凸块的传统多层DRAM间键合工艺,相比无凸块的混合键合技术更为成熟,然而由于凸块的存在,采用TC-NCF生产的同层数HBM内存厚度会相应增加。
在全球半导体市场的激烈竞争中,台积电再次凭借其卓越的技术实力和创新能力,携手旗下子公司创意电子,成功斩获了SK海力士在下一代HBM4(High Band...
SK海力士与台积电达成研发合作,推动HBM4和下一代封装技术发展
据协议内容,双方首先致力于提升 HBM 封装中的基础裸片(Base Die)性能。HBM 由多个 DRAM 裸片(Core Die)堆叠在基础裸片之上,...
具体而言,现有的DRAM设计团队将负责HBM3E内存的进一步研发,而三月份新成立的HBM产能质量提升团队则专注于开发下一代HBM内存——HBM4。
韩国大型财团SK集团的董事长崔泰源在周一的采访中透露,英伟达的首席执行官黄仁勋已向SK集团旗下的存储芯片制造巨头SK海力士提出要求,希望其能提前六个月推...
台积电在欧洲技术研讨会上展示HBM4的12FFC+和N5制造工艺
目前,我们正在携手众多HBM存储伙伴(如美光、三星、SK海力士等)共同推进HBM4在先进制程中的全面集成。12FFC+基础Dies在满足HBM性能需求的...
据媒体报道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星电子预计将于2026年将其HBM4基底技术的生产外包给台积电,并计划采用12nm至6nm的先进制程技术。同...
SK海力士表示,凭借其在AI应用领域存储器发展的领先地位,以及与台积电在全球顶尖逻辑代工领域的深厚合作基础,该公司有信心持续引领HBM技术创新。通过整合...
SK海力士、三星电子:HBM内存供应充足,明年HBM4将量产
这类内存的售价远高于主流 DRAM,而由于制作 TSV 工艺的良率问题,对晶圆的消费量更是达到普通内存的 2-3 倍。因此,内存厂商需提高 HBM 产量...
SK海力士HBM4E内存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量产
值得注意的是,目前全球三大内存制造商都还未开始量产1c nm(第六代10+nm级)制程DRAM内存颗粒。早前报道,三星电子与SK海力士预计今年内实现1c...
人工智能(AI)与机器学习(ML)正以前所未有的速度蓬勃发展,驱动着各行各业的革新。随着模型复杂度与数据量的激增,实时处理海量数据的需求对底层硬件基础设...
SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基...
早前在Memcon 2024行业会议上,三星电子代表曾表示,该公司计划在年底前实现对1c纳米制程的大规模生产;而关于HBM4,他们预见在明年会完成研发,...
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