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早前在Memcon 2024行业会议上,三星电子代表曾表示,该公司计划在年底前实现对1c纳米制程的大规模生产;而关于HBM4,他们预见在明年会完成研发,...
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 年推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 H...
据业内人士预计,HBM4E的堆叠层数将增加到16~20层,而SK海力士原本计划在2026年量产16层的HBM4产品。此外,该公司还暗示,有可能从HBM4...
英伟达加速Rubin平台AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存储器
日,英伟达(NVIDIA)的主要高带宽存储器(HBM)供应商南韩SK集团会长崔泰源透露,英伟达执行长黄仁勋已要求SK海力士提前六个月交付用于英伟达下一代...
Rambus宣布推出业界首款HBM4控制器IP,加速下一代AI工作负载
基于一百多项HBM成功设计案例,确保芯片一次流片成功 在低延迟下提供超过HBM3两倍的吞吐量,满足生成式AI和高性能计算(HPC)工作负载的需求 扩展了...
HBM4需求激增,英伟达与SK海力士携手加速高带宽内存技术革新
随着生成式AI技术的迅猛发展和大模型参数量的急剧增加,对高带宽、高容量存储的需求日益迫切,这直接推动了高带宽内存(HBM)市场的快速增长,并对HBM的性...
近日,韩国SK集团会长透露了一项重要信息,即英伟达公司的首席执行官黄仁勋已向SK海力士提出了一项特殊的要求。黄仁勋希望SK海力士能够提前六个月供应其下一...
SK海力士和台积电签署谅解备忘录 目标2026年投产HBM4
4 月 19 日消息,SK 海力士宣布和台积电签署谅解备忘录(MOU),推进 HBM4 研发和下一代封装技术,目标在 2026 年投产 HBM4。 根据...
近日,据报道,全球知名半导体公司美光科技发布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4,第四代高带宽内存)和HBM4E项目的最新研发进...
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