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GaN HEMT可靠性测试：为什么业界无法就一种测试标准达成共识

标签：GaN HEMT 3650 0

基于HEMT的ADS功率放大器软件仿真

标签：HEMT 2840 1

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FHX76LP低噪声高电子迁移率晶体管的详细数据手册免费下载立即下载

类别：IC中文资料 2018-08-14 标签：封装 DBS HEMT 1409 0

QPD2731非对称Doherty功率放大器的详细资料免费下载立即下载

类别：电源技术 2018-07-31 标签：放大器 Doherty HEMT 967 0

使用ADS系统设计35GHz HEMT压控振荡器立即下载

类别：模拟数字论文 2010-05-17 标签：ADS HEMT 952 0

TP65H035G4WS场效应管英文手册立即下载

类别：IC datasheet pdf 2022-03-31 标签：场效应管 HEMT 895 0

不同的微波从栅极注入HEMT的影响立即下载

类别：射频无线论文 2017-11-06 标签：微波 HEMT 837 0

RFPP2870混合推挽放大器的详细数据手册免费下载立即下载

类别：IC中文资料 2018-07-26 标签：放大器 GaAs HEMT 724 0

ATF-541M4低噪声增强模式伪HEMT微型无引线封装产品简介立即下载

类别：电子资料 2023-07-20 标签：封装 LNA HEMT 306 0

CG2H80015D氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)规格书立即下载

类别：IC datasheet pdf 2024-09-04 标签：晶体管氮化镓 HEMT 249 0

QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手册立即下载

类别：IC datasheet pdf 2024-07-31 标签：GaN HEMT 112 0

hemt资讯

一文详细了解高电子迁移率晶体管

HEMT（High Electron Mobility Transistor），高电子迁移率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体...

2022-05-09 标签：集成电路晶体管 HEMT 4741 0

GaN HEMT正加速成为储能市场主流

电子发烧友网报道（文/黄山明）氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）作为新一代的半导体材料，因其禁带宽度大、临界击穿电场高、饱和电子漂移速度高等特...

2024-08-27 标签：GaN 储能 HEMT 4021 0

首款面向卫星通信应用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)

科锐公司日前在巴尔的摩举行的 2011 年 IEEE 国际微波研讨会上展出业界首款面向卫星通信应用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)

2011-06-23 标签：功率放大器卫星通信 GaN 2344 0

射频GaN需求飙升，专利申请战全面启动

RF GaN已被工业公司认可并成为主流。从知识产权的角度来看，美国和日本主导着整个RF GaN知识产权系统。

2019-02-21 标签：射频 Intel RF 2045 0

新的GaN技术简化了驱动基于GaN的HEMT

虽然乍一看似乎比较简单，但这些器件的栅极驱动器电路需要仔细设计。首先，通常关闭的基于 GaN 的 HEMT 需要负电压来将其关闭并将其保持在关闭状态，从...

2022-07-29 标签：晶体管 GaN HEMT 1916 0

增强型GaN HEMT的漏极电流特性

已经为基于 GaN 的高电子迁移率晶体管(HEMT)的增强模式开发了两种不同的结构。这两种模式是金属-绝缘体-半导体 (MIS) 结构，2具有由电压驱动...

2022-07-29 标签：晶体管 GaN HEMT 1349 0

下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二极管和耗尽型HEMT

纳米电子和数字技术研究与创新中心 Imec 在 2021 年国际电子器件会议（IEEE IEDM 2021）上展示了其最新研究成果。通过在基于 p 型氮...

2022-07-26 标签：氮化镓 HEMT 1335 0

用于低温应用的GaN

当硅和宽禁带器件（如碳化硅和垂直 GaN）的温度下降时，会出现两个重要现象，如文章中所述：载流子迁移率随着高性能参数电子-声子相互作用的降低而上升。此外...

2022-07-29 标签：功率器件 PID控制器 HEMT 1175 0

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率

英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...

2023-05-15 标签：MOSFET GaN HEMT 1158 0

Cambridge GaN Devices 在 2023 年 APEC 大会上展示电力电子装置的可持续未来

3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四，佛罗里达州奥兰多橘郡会议中心【2023年3月13日，英国剑桥讯】Cambridge GaN Devi...

2023-03-14 标签：电源氮化镓 HEMT 1134 0

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加速度传感器是一种能够测量加速度的传感器。通常由质量块、阻尼器、弹性元件、敏感元件和适调电路等部分组成。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的缩写，中文翻译为“车载诊断系统”。这个系统随时监控发动机的运行状况和尾气后处理系统的工作状态，一旦发现有可能引起排放超标的情况，会马上发出警示。
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尽管最初傅里叶分析是作为热过程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的还原论和分析主义的特征。“任意”的函数通过一定的分解，都能够表示为正弦函数的线性组合的形式，而正弦函数在物理上是被充分研究而相对简单的函数类，这一想法跟化学上的原子论想法何其相似！
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凡是电流方向不随时间变化的电流称为直流电压。电流值可以全为正值，也可以全为负值。在直流电流中又可分为两种：稳恒直流和脉动直流。直流输电技术已经由简单的端对端工程朝着大规模多端输电的方向发展，这些工程将是未来直流电网的组成部分，将相同电压等级的直流工程连接成网远比不同电压等级下的独立工程更经济、便捷。
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buck是降压型电路，boost是升压型电路，可以分开单独使用，buck-boost电路就是把2种电路合在一起，可升可降。buck-boost拓扑电路可以实现升降压功能，常见的buck-boost电路有两种，第一种是输入与输出电压极性相反，只需采用一个开关管和二极管。另外一种是采用两个开关管和两个二极管，可实现同极性电压升降压功能。
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