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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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IGBT绝缘特性

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深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模块

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2024-11-14 标签：二极管 IGBT 三菱电机 293 0

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高压栅极驱动器的功率损耗分析

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浮思特 | 第四代场阻止型IGBT的抗锁定能力和超越硅材极限的性能

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IGB基本知识汇总

本文对IGBT领域的深入研究与综合剖析成果，首先与您分享关于IGBT的基本原理及其构成元素，如芯片、单管及模块等方面的知识。接下来将共同关注的是IGBT...

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IGBT模块的驱动电路设计

IGBT模块在三相电机驱动逆变器中的典型应用案例如下图，主要包含了整流、IGBT主电路、驱动保护、PWM产生及控制电路，电流电压反馈电路等。

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Microchip的SiC解决方案解析

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RC-IGBT的结构、工作原理及优势

因为IGBT大部分应用场景都是感性负载，在IGBT关断的时候，感性负载会产生很大的反向电流，IGBT不能反向导通，需要在IGBT的两端并联一个快速恢复二...

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IGBT芯片/单管/模块/器件的区别

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什么是二极管的反向恢复

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特瑞诺TGHP75N120FDR：高性能IGBT单管的理想选择

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如何检测SiC IGBT模块失效芯片

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IGBT短路耐受时间的重要性

IGBT等功率器件具有称为“短路耐受时间（SCWT：Short Circuit Withstand Time）”的电气特性（参数）。通常，在IGBT等功...

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