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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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本文通过等效电路分析,通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用,并精简的指出了IGBT的特点。可以说,IGBT是一个非通即断的开关,兼有MOSFET的高输...
igbt模块逆变器电路图大全(六款igbt模块逆变器电路设计原理图详解)
本文主要介绍了igbt模块逆变器电路图大全(六款igbt模块逆变器电路设计原理图详解)。全桥式逆变器的一大缺陷就是存在中频变压器偏磁问题,正常工作情况下...
本文首先介绍了IGBT的作用及选型四个基本要求,其次介绍了IGBT选型方法及影响IGBT可靠性因素,最后介绍了IGBT使用注意事项及保管方法。
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入...
本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关...
当集电极被施加一个反向电压时, J1 就会受到反向偏压控制,耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度,将无法取得一个有效的阻断能力,所以,这个...
IGBT在工作的时候,一般是工作在饱和区的,就是下图中的红色区域。为什么?很容易理解,在这个区域Vce随着Ic的变化非常小,因此损耗也就很小,功率半导体...
IGBT与MOS管的区别,IGBT与可控硅的区别,IGBT驱动电路设计
多的这个P层因内有载流子,有电导调制作用,可以使IGBT在跟高电压和电流下,有很低的压降,因此IGBT可以做到很高电压(目前最大6500V),但由于载流...
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