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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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T-NPC三电平电路的双脉冲与短路测试

上一篇我们分析了《I-NPC三电平电路的双脉冲与短路测试方法》，对于T-NPC拓扑来说也是类似的，我们接着来看。1T-NPC三电平电路的换流方式与双脉冲...

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什么是双脉冲测试技术

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深度解析MCU（电机控制器）的成本

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IGBT IPM的优点有哪些

IGBT IPM结合了IGBT的高效能和高电流承载能力以及IPM的智能化控制与保护特性，其优点可以总结如下：集成度高： IGBT IPM将多个IGBT...

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IGBT场效应管的工作原理 IGBT场效应管的选择方法

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IGBT模块理论研究：IGBT三相逆变电路分析

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IGBT器件的结构和工作原理

2024-02-21 标签：MOSFET 半导体 IGBT 1805 0

MOSFET和IGBT区别及高导热绝缘氮化硼材料在MOSFET的应用

引言：EV和充电桩将成为IGBT和MOSFET最大单一产业链市场！EV中的电机控制系统、引擎控制系统、车身控制系统均需使用大量的半导体功率器件，它的普及...

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IGBT过流故障和短路故障的区别

在电力电子技术领域，绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种被广泛应用的半导体开关器件。它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的输入阻抗高和双极...

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短路耐受时间是指IGBT在短路条件下能够持续导通而不发生故障的时间。这个参数对于系统保护策略的设计至关重要，因为它决定了系统在检测到短路并采取措施（如关...

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igbt的工作原理图详解

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）特性的高效能半导体器件。它特别适用于需要高...

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IGBT的结构组成特点是什么

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种半导体器件，具有栅极、集电极和发射极三个引脚。其工作原理与MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）相似，但同时具...

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IGBT（绝缘栅双极型晶体管，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种半导体器件，结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（...

2024-02-06 标签：半导体 IGBT 晶体管 1057 0

故障电流限制器的作用及原理

FCL的基本工作原理是通过快速改变电路的阻抗来限制故障电流。它通常由电力电子器件（如IGBT、MOSFET等）及其控制电路组成。

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是什么原因造成IGBT击穿短路？

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）击穿短路的原因是一个复杂且多元的问题，涉及多个因素相互作用。以下是对IGBT击穿短路原因的详细分析，旨在达到1000字的要求。

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igbt属于什么器件　igbt模块的作用和功能

　IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种半导体功率器件。它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和双极型晶体管的特性。

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