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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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由于短路会导致负载电阻降低或短路,使得电流突然增大。IGBT作为开关管,其额定电流通常有限,该突然增大的电流可能会超过IGBT管的额定电流,导致IGBT...
一般情况下,由于各厂家的设计理念不同,直流侧的电容在设计上可能存在差异。当变频器中所使用的滤波电容电容量足够大,在工作时,能够吸收较多的能量,使用工况不...
对于变频器在启动的过程中报过电流这一情况,引发导致过电流的原因大部分出在驱动电路及IGBT逆变电路。判断驱动电路及IGBT逆变电路导致过电流的依据是当变...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种双极性器件,结合了MOSFET和普通晶体管的优势,既具有IGFET(...
IGBT驱动电路工作原理: IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种特殊的双极晶体管,结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和普通双极晶体管的优点...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种功率半导体器件,结合了绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)和双极型晶体...
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