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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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SiC作为宽禁带半导体材料,与Si相比具有击穿场强高、导热系数高、载流能力大、开关速度快、可高温工作等优点,适用于高压、高温、高频等领域的应用。
为了将尽可能多的分立元器件集成到IPM封装中,我们采用了将IGBT和FWD集成为单个芯片中的RC-IGBT芯片,以确保有足够的空间用于其他芯片/器件的封...
IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度...
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧...
各种最经典的IGBT电路赏析和保护方案,IGBT静态和动态特性是什么?
M57959L/M57962L厚膜驱动电路采用双电源(+15V,-10V)供电,输出负偏压为-10V,输入输出电平与TTL电平兼容,配有短路/过载保护和...
本文首先介绍了 IGBT 技术的研究现状,并对 IGBT 不同结构的特点和电学特性做了简要阐述;最 后列举了一些最新的研究成果,并探讨了 IGBT 的 ...
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