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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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全部技术资讯资料帖子视频产品方案企业 IGBT选型

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常见的MOSFET以及IGBT绝缘栅极隔离驱动技术解析

MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之...

2019-07-03 标签：MOSFET IGBT 隔离驱动 4648 0

汽车点火系统中的智能IGBT设计案例

用于点火线圈充电的开关元件已经历了很大演变：从单个机械开关、分电器中的多个断电器触点，到安装在分电器中或单独电子控制模块中的高压达林顿双极晶体管，再到直...

2014-01-25 标签：汽车电子 IGBT 4620 2

电焊机IGBT怎么选择？

工控的IGBT市场规模在近年来逐步增大，尤其是随着我国变频器、电焊机市场稳步增长，工业机器人市场加速发展，对应的工控 IGBT 市场也将稳步增长。

2023-02-24 标签：UPS 电焊机 IGBT 4618 0

IGBT开关损耗产生的原因与PiN二极管的正向恢复特性

大家好，这期我们再聊一下IGBT的开关损耗，我们都知道IGBT开关损耗产生的原因是开关暂态过程中的电压、电流存在交叠部分，由于两者都为正，这样就会释放功...

2022-04-19 标签：二极管 IGBT 开关损耗 4612 0

大功率晶闸管参数解析之正向特性

对于本文所述的半导体，该值大约是一半的断态重复峰值电压。这对100fit（单位时间间隔内的失效次数；1fit=每小时失效1小时失-9次，即，器件工作10...

2021-08-13 标签：大功率晶闸管 IGBT 4609 0

igbt导通条件和关断条件

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传...

2024-03-18 标签：三极管 MOSFET IGBT 4599 0

IGBT成为新能源汽车的核心是基于哪方面原因？

对新能源车来说，电池、VCU、BSM、电机效率都缺乏提升空间，最有提升空间的当属电机驱动部分，而电机驱动部分最核心的元件IGBT(Insulated G...

2018-07-20 标签：新能源汽车 IGBT 4596 0

开关管的工作原理开关管怎么检测好坏

开关管是一种能够在导通和截止状态之间快速切换的半导体器件，通常用于电源开关、半桥/全桥驱动电路、PWM调制等电子产品中。常见的开关管有MOS管、IGBT管等。

2023-12-13 标签：万用表电源管理 MOS管 4596 0

功率循环测试助力车用IGBT性能提升

汽车功率电子组件（例如IGBT）的设计必须能负荷数千小时的工作时间和上百万次的功率循环，同时得承受高达 200℃的温度。因此产品的可靠性特别关键，而同时...

2016-01-08 标签：汽车电子 IGBT 功率循环测试 4566 0

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)内部结构/工作原理/特性/优缺点

今天给大家分享的是：IGBT(绝缘栅双极型晶体管)

2023-08-25 标签：半导体 MOS管 IGBT 4528 0

碳化硅SIC MOSFET替代传统MOSFET及IGBT的优点

碳化硅MOS优点：高频高效，高耐压，高可靠性。可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度。

2023-04-12 标签：变压器 MOSFET IGBT 4509 0

IGBT的应用领域和性能优势

当前的新能源车的模块系统由很多部分组成，如电池、VCU、BSM、电机等，但是这些都是发展比较成熟的产品，国内外的模块厂商已经开发了很多，但是有一个模块需...

2023-12-11 标签：逆变器 IGBT 晶体管 4502 0

IGBT芯片互连常用键合线材料特性

铝线键合是目前工业上应用最广泛的一种芯片互连技术，铝线键合技术工艺十分成熟，且价格低廉。铝线根据直径的不同分为细锡线和粗铝线两种，直径小于100um的铝...

2023-03-27 标签：IGBT 功率器件寄生电感 4497 0

快恢复二极管FRD的特性测试

作为瑞能功率半导体产品大家庭中的重要成员，快恢复二极管-FRD以其较低的正向导通压降VF和反向恢复电荷QRR，能帮助客户获得较高的系统整机效率，兼具出色...

2022-10-10 标签：IGBT 快恢复二极管瑞能半导体 4485 0

三极管、MOSFET和IGBT的区别

空穴”带正电，电子带负电，但掺杂后的半导体本身为电中性。

2022-09-08 标签：三极管 MOSFET MOS管 4465 0

基于IGBT技术实现反并联二极管的正确设计

二极管的反向恢复电荷Qrr与正向压降Vf的关系曲线可以表示出二极管的特性。这意味着，原则上该曲线上的每一个点都能实现，如图1所示。因此，可以设计出低Qr...

2020-07-23 标签：芯片二极管 igbt 4457 0

分析和比较驱动电路结构和功率回路耦合特性对于并联IGBT均流特性的影响

本文作者北京交通大学电气工程学院穆峰，刘宜鑫，贾静雯，郝欣，杨勇，黄先进摘要：随着电力电子应用越发趋于高压与高功率密度，单个模块已经无法满足其需求，功...

2021-02-14 标签：耦合 IGBT 功率 4457 0

教你选择隔离式栅极驱动器的正确“姿势”

在功率电子(例如驱动技术)中，IGBT经常用作高电压和高电流开关。

2019-08-07 标签：IGBT 栅极驱动器 4456 0

IGBT双脉冲测试的意义和原理

对比不同IGBT的参数及性能；获取IGBT开通和关断过程的参数；评估驱动电阻是否合适；开通和关断过程是否有不合适的震荡；

2023-11-10 标签：二极管电流 IGBT 4456 0

对大功率IGBT开关特性、驱动要求的分析和讨论

绝缘门极双极型晶体管是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件，具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好、驱动电路简单、饱和压降低、耐...

2018-06-29 标签：驱动 igbt 功率 4429 0

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